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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH6010LPDQ 60V 175°C 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMTH6010LPDQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH6010LPDQ
  • 名稱 60V 175°C 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH6010LPDQ

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH6010LPDQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并得到 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    DMTH6010LPDQ
名稱                    60V 175°C 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    PowerDI?5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.1 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 47.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.8 W
PD @TC = +25°C (W) 37.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 16 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40.2 nC
CISS Typ (pF) 2615 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用。
高轉(zhuǎn)換效率
低輸入電容
開關(guān)速度快


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