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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMTH6016LPD 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMTH6016LPD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMTH6016LPD
  • 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI® 5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH6016LPD 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH6016LPD 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    DMTH6016LPD
名稱                    雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    PowerDI? 5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.2 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 33.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
PD @TC = +25°C (W) 37.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 19 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17 nC
CISS Typ (pF) 864 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試 –
確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
高轉(zhuǎn)換效率
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快


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DMTH6016LPD
DMTH6016LPDQ
DMTH6016LPS
DMTH6016LPSQ
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DMTH8003STLW
DMTH8003STLWQ
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DMTH8008LPSQ
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DMTH8008SFGQ
DMTH8008SPS
DMTH8008SPSQ
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DMTH8028LFVW
DMTH8028LFVWQ
DMTH8028LPSW
DMTH8028LPSWQ
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