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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMTH61M5SPSWQ 60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMTH61M5SPSWQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMTH61M5SPSWQ
  • 名稱 60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH61M5SPSWQ 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH61M5SPSWQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并得到 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    DMTH61M5SPSWQ
名稱                    60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    PowerDI?5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 225 A
PD @TA = +25°C (W) 3.2 W
PD @TC = +25°C (W) 167 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 1.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 130.6 nC
CISS Typ (pF) 8306 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度
環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試 –
確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
用于改進(jìn)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)面


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