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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXMN6A08GQ 60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： ZXMN6A08GQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXMN6A08GQ
  • 名稱 60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT223

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXMN6A08GQ  

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXMN6A08GQ該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并得到 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號                    ZXMN6A08GQ
名稱                    60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 
產(chǎn)地                    臺灣
封裝                    SOT223


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 80 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 150 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.8 nC
CISS Typ (pF) 459 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 40 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
開關(guān)速度快
低門檻
低柵極驅(qū)動


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