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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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D3V3L1B2T 1 通道雙向 TVS 二極管

型號(hào)： D3V3L1B2T

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) D3V3L1B2T
  • 名稱 1 通道雙向 TVS 二極管
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOD523

--- 產(chǎn)品詳情 ---

D3V3L1B2T  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 D3V3L1B2T 這款在取代低工作電壓至關(guān)重要的便攜式應(yīng)用中的多層壓敏電阻 (MLV)，與 MLV 相比，它具有卓越的電氣特性，例如更低的鉗位電壓和無器件退化。D3V3L1B2T 旨在保護(hù)敏感半導(dǎo)體組件免受靜電放電 (ESD)、閃電、電快速瞬變 (EFT) 和電纜放電事件 (CDE) 造成的損壞或干擾。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    D3V3L1B2T
名稱                    1 通道雙向 TVS 二極管
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOD523


產(chǎn)品參數(shù)
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20±s Max 5
AEC Qualified Yes
Configuration Single (Bi-Directional)
Channel Input CapacitanceCT Typ(pF) 11 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 3.3 V
Breakdown VoltageVBR Min(V) 3.5 V
Typ Reverse Leakage Current IR @ VRWM Max(μA) 0.05 μA
Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 18 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge(kV) 26 kV


主要特征
提供符合 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)的 ESD 保護(hù)：空氣 ±26kV，接觸 ±26kV
1路ESD保護(hù)
保護(hù)一根電源或 I/O 線
最大限度。峰值脈沖功率：PPP = 90W，tp = 8/20μs
低鉗位電壓


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