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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXT10P20DE6Q 20V PNP 低飽和 晶體管

型號(hào)： ZXT10P20DE6Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) ZXT10P20DE6Q
  • 名稱 20V PNP 低飽和 晶體管
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXT10P20DE6Q  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的ZXT10P20DE6Q這種雙極結(jié)型晶體管（BJT）設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。


產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    ZXT10P20DE6Q
名稱                    20V PNP 低飽和 晶體管
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT26

 

產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity PNP
VCEO, VCES (V) 20
IC (A) 2.5
ICM (A) 6
PD (W) 1.1
hFE (Min) 300
hFE (@ IC) (A) 0.1
hFE(Min 2) 150
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 250
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 1.5/50
fT (MHz) 180
RCE(sat) (mΩ) 96

 

主要特征
BV首席執(zhí)行官> -20V
I C = -2.5A 連續(xù)集電極電流
I CM = -6A 峰值脈沖電流
R CE(sat) = 96mΩ，可實(shí)現(xiàn)低等效導(dǎo)通電阻
低飽和電壓（-220mV max @ -1A）
h FE特性高達(dá) -6A，可實(shí)現(xiàn)高電流增益保持

 

相關(guān)型號(hào)
FZT855Q
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MMBTH10Q
MMDT2222VQ
MMDT2227Q
MMDT3904Q
MMDT3906Q
MMDT3946Q
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