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DGD05473FNQ 高頻高側 低側柵極 驅動器

型號: DGD05473FNQ

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DGD05473FNQ
  • 名稱 高頻高側 低側柵極 驅動器
  • 產地 臺灣
  • 封裝 U-DFN3030-10

--- 產品詳情 ---

DGD05473FNQ  

 產品簡介
DIODES 的DGD05473FNQ這是一款能夠驅動 N 溝道 MOSFET 的高頻柵極驅動器。浮動高側驅動器的額定電壓高達 50V。
DGD05473 邏輯輸入與標準 TTL 和 CMOS 電平(低至 3.3V)兼容,可輕松與 MCU 連接。高側和低側的 UVLO 可在電源丟失時保護 MOSFET。為了保護 MOSFET,跨導預防邏輯可防止 HO 和 LO 輸出同時打開。
快速且匹配良好的傳播延遲可實現更高的開關頻率,從而使用更小的相關組件實現更小、更緊湊的電源開關設計。為了最大限度地減少空間,內置了一個內部自舉二極管。DGD05473 采用 U-DFN3030-10 封裝,工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。

 

產品規格  
品牌                    DIODES
型號                    DGD05473FNQ
名稱                    高頻高側 低側柵極 驅動器
產地                    臺灣
封裝                    U-DFN3030-10


產品參數
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Offset Voltage Max (V) 50 V
Inputs HIN, LIN, EN
Output Current IO+ (Typ) (mA) 1500 mA
Output Current IO- (Typ) (mA) 2500 mA
tON (Typ) (ns) 20 ns
tOFF (Typ) (ns) 23 ns
tR (Typ) (ns) 16 ns
tF (Typ) (ns) 12 ns


主要特征
50V 浮動高側驅動器
以半橋配置驅動兩個 N 溝道 MOSFET
1.5A 拉電流/2.5A 灌電流輸出能力
包含內部自舉二極管 ?
用于高側和低側驅動器的欠壓鎖定
延遲匹配最大值為 5ns
傳播延遲典型值為 20ns
邏輯輸入(HIN、LIN 和 EN)3.3V 能力
超低待機電流 (<1μA)
擴展溫度范圍:-40°C 至 +125°C
完全領先-不含且完全符合 RoHS 標準(注釋 1 和 2)
不含鹵素和銻。“綠色”器件(注 3)
符合 AEC-Q100 高可靠性標準
支持 PPAP(注 4)


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