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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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MTD6P10ET4-VB-TO252封裝P溝道MOSFET

型號(hào)： MTD6P10ET4-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 頻道類(lèi)型 P溝道
  • 額定電壓 100V
  • 額定電流 10A
  • RDS(ON) 188mΩ @ 10V，195mΩ4.5V
  • 門(mén)源電壓范圍 ±20V
  • 門(mén)源閾值電壓 1.77V
  • 封裝類(lèi)型 TO252

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

MTD6P10ET4.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào) MTD6P10ET4絲印 VBE2102M品牌 VBsemi參數(shù)  頻道類(lèi)型 P溝道 額定電壓 100V 額定電流 10A RDS(ON) 188mΩ @ 10V，195mΩ @ 4.5V 門(mén)源電壓范圍 ±20V 門(mén)源閾值電壓 1.77V 封裝類(lèi)型 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 MTD6P10ET4（絲印 VBE2102M）是VBsemi公司生產(chǎn)的一款P溝道功率MOSFET。以下是詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 MTD6P10ET4是一款高壓、高電流承載能力的P溝道功率MOSFET。主要參數(shù)包括額定電壓為100V，額定電流為10A，RDS(ON)為188mΩ @ 10V，195mΩ @ 4.5V，門(mén)源電壓范圍為±20V，門(mén)源閾值電壓為1.77V，封裝類(lèi)型為T(mén)O252。應(yīng)用領(lǐng)域 MTD6P10ET4（VBE2102M）適用于多種領(lǐng)域和應(yīng)用場(chǎng)景，特別適用于需要P溝道功率MOSFET的高壓、高電流電路。以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 電源管理模塊 MTD6P10ET4可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出，改善系統(tǒng)的功耗和效率。2. 高電壓電池系統(tǒng) 它可應(yīng)用于高電壓電池系統(tǒng)中的充放電控制電路，提供高功率和高效率的電能轉(zhuǎn)換和電池管理。3. 電動(dòng)車(chē)充電樁 MTD6P10ET4適用于電動(dòng)車(chē)充電樁中的開(kāi)關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)高效能的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流控制。4. 工控系統(tǒng)和通信設(shè)備 MTD6P10ET4適用于工控系統(tǒng)和通信設(shè)備中的電源管理和電流控制，提供可靠的功耗控制和電流輸出。綜上所述，MTD6P10ET4（VBE2102M）是一款P溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、高電壓電池系統(tǒng)、電動(dòng)車(chē)充電樁、工控系統(tǒng)和通信設(shè)備等領(lǐng)域模塊。它具有高壓、高電流承載能力，適用于需要高功率和高效能的電路。
 

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