型號 PSMN025100D 絲印 VBE1102N 品牌 VBsemi 參數(shù) 溝道類型 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 45A 導通電阻 18mΩ @ 10V, 20Vgs (±V) 閾值電壓 3.2V 封裝類型 TO252詳細參數(shù)說明 PSMN025100D是一款N溝道MOS管，適用于最大100V的工作電壓，最大45A的電流承載能力。其導通電阻在10V下為18mΩ。閾值電壓為3.2V，需要在控制電壓大于該閾值時才能實現(xiàn)正常導通。封裝類型為TO252。應用簡介 PSMN025100D適用于需要高電壓和高電流承載能力的應用領域，如電源開關、電機驅動器、逆變器等。其較低的導通電阻和高額定電壓使其能夠在大功率傳輸和高壓應用中具備卓越的性能。在電機驅動器模塊和逆變器模塊中，PSMN025100D能夠提供可靠的開關控制和高功率輸出。綜上所述，PSMN025100D適用于需要高電壓和大電流承載能力的應用，尤其適用于電源開關、電機驅動器和逆變器等領域模塊。它的低導通電阻和高額定電壓為這些模塊提供了可靠性和高性能。
--- 產品參數(shù) ---
- 溝道類型 N溝道
- 額定電壓 100V
- 額定電流 45A
- 導通電阻 18mΩ @ 10V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 3.2V
- 封裝類型 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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