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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NTGS4141NT1G-VB-SOT23-6封裝N溝道MOSFET

型號: NTGS4141NT1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最大耐壓 30V
  • 最大電流 6A
  • 靜態(tài)開啟電阻 30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
  • 門源極電壓 20V (±V)
  • 閾值電壓 1.2V
  • 封裝類型 SOT23-6

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:NTGS4141NT1G-VB
絲印:VB7322
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 類型:N溝道
- 最大耐壓:30V
- 最大電流:6A
- 靜態(tài)開啟電阻 (RDS(ON)):30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓 (Vgs):20V (±V)
- 閾值電壓 (Vth):1.2V
- 封裝類型:SOT23-6

應用簡介:
NTGS4141NT1G-VB是一款N溝道MOSFET,適用于多種低至中等功率電子應用,以下是一些可能的應用領域:

1. 電源模塊:這款MOSFET可用于小型電源模塊中的功率開關,幫助提高電源管理的效率,適用于便攜式設備、嵌入式系統(tǒng)和電源逆變器。

2. DC-DC轉換器:NTGS4141NT1G-VB可以用于DC-DC轉換器中,將一個電壓轉換成另一個電壓,適用于電池驅動的設備、電子終端和通信設備。

3. 電池管理:它還可以用于電池管理系統(tǒng)中,控制電池的充電和放電,確保電池的安全和性能。

4. 低功耗電子:由于其低導通電阻和適中的電流承受能力,適用于需要低功耗操作的電子設備,如傳感器節(jié)點、便攜式醫(yī)療設備和無線通信模塊。

5. 模擬電路:在一些模擬電路中,如信號放大器和濾波器,可以使用NTGS4141NT1G-VB來實現(xiàn)精確的信號控制。

這款MOSFET的特性使其適用于多種低至中等功率電子應用,尤其是在有限的空間內(nèi)需要高性能的情況下。然而,在選擇和使用該器件時,仍然需要詳細了解其數(shù)據(jù)手冊和性能參數(shù),以確保其滿足特定應用的要求。
 

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