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TC2282 低噪聲陶瓷封裝PHEMT GaAs FET

型號： TC2282

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號 TC2282
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TC2282

型號簡介
Sumitomo的TC2282是一種高性能場效應(yīng)晶體管，封裝在帶有TC1202的陶瓷micro-x封裝中PHEMT芯片。它具有非常低的噪聲系數(shù)、高的相關(guān)增益和高的動態(tài)范圍，使該設(shè)備成為可能適用于低噪聲放大器。所有設(shè)備都經(jīng)過100%直流測試，以確保質(zhì)量一致。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo 
型號                    TC2282
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Chip
 

型號參數(shù)
0.5 dB 12 GHz時的典型噪聲系數(shù)
高相關(guān)增益：Ga=12 dB，典型頻率為12 GHz
Lg=0.25μm，Wg=300μm
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試
Micro-X金屬陶瓷封裝

 

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