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TC2281 低噪聲 高動態范圍 GaAs FET

型號： TC2281

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號 TC2281
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產地 日本
  • 封裝 Ceramic micro-X

--- 產品詳情 ---

TC2281

型號簡介
Sumitomo的TC2281是一種高性能場效應晶體管，與TC1201一起封裝在陶瓷micro-x封裝中PHEMT芯片。它可以用于頻率高達24GHz或更高的應用。它的噪音很低數字，高相關增益和高動態范圍，使該設備適合在低噪聲中使用放大器。所有設備都經過100%直流測試，以確保質量一致。


型號規格  
廠家                    Sumitomo 
型號                    TC2281
名稱                    砷化鎵HEMT
產地                    日本
封裝                    Ceramic micro-X
 

型號參數
0.5 dB 12 GHz時的典型噪聲系數
高相關增益：Ga=12 dB，典型頻率為12 GHz
221.5 dBm 12 GHz時的典型功率
112 dB 12 GHz下的典型線性功率增益
擊穿電壓：BVDGO≥9 V
LLg=0.25μm，Wg=300μm
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
1100%直流測試
MMicro-X金屬陶瓷封裝
適用于24GHz或更高的頻率

 

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