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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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TC2201 塑料封裝低噪聲PHEMT GaAs FET

型號(hào)： TC2201

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號(hào) TC2201
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Ceramic micro-X

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TC2201 

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的TC2201是一種高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管，與TC1201一起封裝在塑料封裝中PHEMT芯片。其低噪聲系數(shù)使該器件適合用于低噪聲放大器。所有設(shè)備經(jīng)過100%直流測(cè)試，確保質(zhì)量一致。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo 
型號(hào)                    TC2201
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Ceramic micro-X
 

型號(hào)參數(shù)
1.5 dB 12 GHz時(shí)的典型噪聲系數(shù)
高相關(guān)增益：Ga=7 dB，典型頻率為12 GHz
12 GHz時(shí)的21.5 dBm典型功率
12 GHz時(shí)的8 dB典型線性功率增益
Lg=0.25μm，Wg=300μm
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測(cè)試
低成本塑料Micro-X封裝


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