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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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TC1102 超低噪聲GaAs FET

型號： TC1102

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號 TC1102
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TC1102 

型號簡介
Sumitomo的TC1102是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT）芯片，具有非常低的噪聲系數(shù)和高的相關(guān)增益。該設(shè)備可用于高達30 GHz的電路，以及適用于低噪聲應(yīng)用。全部的設(shè)備經(jīng)過100%直流測試，以確保質(zhì)量一致。所有焊盤均鍍金熱壓或熱聲引線接合。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo 
型號                    TC1102
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Chip
 

型號參數(shù)
低噪聲系數(shù)：NF=0.5 dB 12 GHz時的典型值
高相關(guān)增益：Ga=13 dB，典型頻率為12 GHz
Lg=0.25μm，Wg=160μm
全金金屬化，實現(xiàn)高可靠性
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試

 

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