--- 產品參數 ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 SGNL015Z2K-R
- 名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
- 產地 日本
- 封裝 DFN
--- 產品詳情 ---
型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGNL015Z2K-R提供高功率,高效、易于匹配和DC更大的一致性3.8GHz雷達應用,50V操作。SGNL015Z2K-R為適用于寬帶應用。
型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGNL015Z2K-R
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產地 日本
封裝 DFN
型號參數
用于直流至3.8GHz的高功率GaN HEMT
高功率:17W@3.8GHz
高效率:56%@3.8GHz
DFN塑料包裝
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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