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FLC087XP GaAs FET芯片

型號： FLC087XP

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 FLC087XP
  • 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
  • 產地 日本
  • 封裝 XP

--- 產品詳情 ---

FLC087XP

型號簡介
Sumitomo的FLC087XP芯片是一種功率GaAs FET，專為C波段頻率范圍內的通用應用提供卓越的功率、增益和效率。住友電氣嚴格的質量保證計劃確保最高的可靠性和一致的性能。


型號規格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FLC087XP
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產地                    日本
封裝                    XP
 

型號參數
高輸出功率：P1dB=28.5dBm（典型值）
高增益：G1dB=7.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=31.5%（典型值）
經驗證的可靠性


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