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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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FLM1011-3F X、Ku波段 內部匹配 FET

型號: FLM1011-3F

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 FLM1011-3F
  • 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
  • 產地 日本
  • 封裝 IA

--- 產品詳情 ---

FLM1011-3F

型號簡介
Sumitomo的FLM1011-3F是一種功率GaAs FET,內部匹配標準通信頻帶,以在50歐姆系統。Eudyna嚴格的質量保證計劃確保可靠性和一致的性能。


型號規格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FLM1011-3F
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產地                    日本
封裝                    IA


型號參數
高輸出功率:P1dB b35.0dBm(型號)
高增益:G1dB B7.5dB(類型)
高PAE:η加p29%(類型)
低IM3=-46dbc@po=24.0dBm
寬帶:10.7至11.7GHz
阻抗匹配鋅/鹽,50?
密封


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