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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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SGC1112-100B-R X波段 內部匹配 GaN HEMT

型號： SGC1112-100B-R

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 SGC1112-100B-R
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
  • 產地 日本
  • 封裝 IK

--- 產品詳情 ---

SGC1112-100B

型號簡介
Sumitomo的SGC1112-100B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統中。


型號規格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    SGC1112-100B-R
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地                    日本
封裝                    IK


型號參數
高輸出功率：Psat=51.0dBm（典型值）
高增益：Gp=9.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=37%（典型值）
寬帶：11.4至12.0GHz
密封包裝


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