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SGC0910-300B-R X波段 內部匹配 GaN HEMT

型號： SGC0910-300B-R

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 SGC0910-300B-R
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
  • 產地 日本
  • 封裝 IK

--- 產品詳情 ---

SGC0910-300B-R

型號簡介
Sumitomo的SGC0910-300B-R是一種高功率GaN HEMT內部匹配X波段雷達波段，提供最佳50歐姆系統中的功率和增益。


型號規格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    SGC0910-300B-R
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地                    日本
封裝                    IK


型號參數
高輸出功率：Psat=55.3dBm（典型值）
高增益：Gp=9.3dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=38%（典型值）
寬帶：9.0至10.0GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝
長脈沖操作*
需要降低Vds和/或低外殼溫度來保持Tch低于200攝氏度。詳情請聯系。

 

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FS/EB/SGM6901VU
SGC0910-300B-R
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