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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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SGK1314-60B ku帶 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

型號(hào)： SGK1314-60B

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) SGK1314-60B
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 IBK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGK1314-60B 

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的SGK1314-60B是一種高功率GaN HEMT與Ku波段寬VBW應(yīng)用相匹配，并具有良好的IMD偏移頻率高達(dá)250MHz時(shí)的性能。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    SGK1314-60B
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    IBK


型號(hào)參數(shù)
寬帶：13.75至14.5GHz
高輸出功率：Pout=48dBm（典型值）
出色的IM3，寬偏移頻率：Δf=～250MHz
適用于多載波信號(hào)
內(nèi)部匹配
密封包裝

 

相關(guān)型號(hào)
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SGK5867-20A
SGK1314-30A
SGN2933-600D-R
 

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