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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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SGN350H-R 用于雷達的350W GaN HEMT

型號： SGN350H-R

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號 SGN350H-R
  • 名稱 氮化鎵晶體管
  • 產地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產品詳情 ---

SGN350H-R

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN350H-R提供高功率高，適用于L波段雷達應用50V操作和高達150μsec脈沖的脈沖條件寬度和占空比高達10%。


型號規格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號                    SGN350H-R
名稱                    氮化鎵晶體管
產地                    日本
封裝                    SMT


型號參數
用于L波段雷達的高功率GaN HEMT
高功率：400W（典型值）@引腳=10W（40dBm）
高效率：70%（典型值）@引腳=10W（40dBm）
小型無法蘭封裝


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