Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管
Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級、不匹配晶體管，能夠在+48V電壓下提供20W的P3dB輸出功率。QPD0007晶體管的工作頻率范圍為直流至5GHz，3.5GHz時的漏極效率為73%。典型應用包括WCDMA/LTE、宏蜂窩基站、微蜂窩基站、通用、小型蜂窩、有源天線和5G大規模MIMO。
QPD0007 GaN射頻晶體管特性
工作頻率范圍：直流至5GHz
工作漏極電壓：48V
輸出功率 (P3dB)：20W（最大值，3.6GHz時）
漏極效率：73%（最大值，3.5GHz時）
效率：19dB，3.5GHz時調低增益
4.5mm x 4mm DFN封裝
QPD0007 GaN射頻晶體管應用
WCDMA/LTE
微蜂窩基站
微蜂窩基站
小型蜂窩
有源天線
5G大規模MIMO
通用型應用
