**詳細參數說明：**
- 產品型號: FDN8601-VB
- 品牌: VBsemi
- 絲印: VB1102M
- 封裝: SOT23
- 溝道類型: N—Channel
- 最大耐壓: 100V
- 最大電流: 2A
- RDS(ON): 246mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓 (Vth): 2V

**應用簡介：**
FDN8601-VB是VBsemi生產的N—Channel溝道SOT23封裝MOSFET。具有較高的最大耐壓、適度最大電流和適中的導通電阻（RDS(ON)）特性。適用于多個領域和模塊，包括：

1. **電源開關：** 由于其N—Channel溝道的特性，可用于電源開關模塊，提供高效率的功率開關控制。

2. **電源逆變器：** 在需要逆變器的應用中，FDN8601-VB可以用作開關裝置，確保高效的能量轉換。

3. **LED驅動：** 適用于LED照明驅動電路，提供高效的電流控制，確保穩定的亮度和長壽命。

4. **電池保護：** 在電池管理系統中，FDN8601-VB可用于電流控制和電池保護，確保電池充電和放電的安全性。

確保在使用前詳細查閱產品手冊和規格，以確保正確的應用和性能。