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新思科技成功置換其全流程設計傳統工具

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2023-09-01 14:28:041252

思科技3DIC Compiler獲得三星多裸晶芯集成工藝流程的認證

思科技經認證的多裸晶芯片系統設計參考流程和安全的Die-to-Die IP解決方案,加速了三星SF 5/4/3工藝和I-Cube及X-Cube技術的設計和流片成功。 新思科技3DIC
2023-09-14 09:38:28839

思科技設備在臺積電流片2nm芯片

《半導體芯科技》編譯 來源:EENEWS EUROPE 新思科技(Synopsys)表示,其客戶已在臺積電2nm工藝上流片了多款芯片,同時對模擬和數字設計流程進行了認證。 新思科技表示,臺積電2nm
2023-10-08 16:49:24285

思科成功實現與英特爾PCIe 6.0測試芯片的互操作性

思科技PCIe 6.0 IP與英特爾 PCIe 6.0測試芯片實現互操作 在64GT/s 高速連接下成功驗證互操作性,降低高性能計算SoC的集成風險 新思科技近日宣布,新思科技PCI
2023-10-16 09:22:56447

思科技攜手臺積公司加速2nm工藝創新,為先進SoC設計提供經認證的數字和模擬設計流程

多個設計流程在臺積公司N2工藝上成功完成測試流片;多款IP產品已進入開發進程,不斷加快產品上市時間 ? 摘要: 新思科技經認證的數字和模擬設計流程可提高高性能計算、移動和AI芯片的產品質量
2023-10-19 11:44:22104

思科技攜手臺積公司加速N2工藝下的SoC創新

多次成功流片,模擬設計流程也正應用于多個設計項目。這些設計流程在AI驅動型Synopsys.ai 全棧式EDA解決方案的支持下,大大提升了生產率。新思科技針對臺積公司N2工藝開發的基礎IP和接口IP
2023-10-24 16:42:06475

思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程,助力加速射頻芯片設計

摘要: 全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造,提供開放、高效的射頻設計解決方案。 業界領先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統的性能和功耗效率。 集成的設計流程提升了開發者的生產率,提高了
2023-10-30 16:13:05106

思科技攜手合作伙伴開發針對臺積公司N4P工藝的射頻設計參考流程

(RF)設計和接口IP五項大獎。新思科技與臺積公司長期穩固合作,持續提供經過驗證的解決方案,包括由Synopsys.ai全棧式AI驅動型EDA解決方案支持的認證設計流程,幫助共同客戶加快創新型人工智能
2023-11-14 10:31:46376

思科技與英特爾深化合作,以新思科技IP和經Intel 18A工藝認證的EDA流程加速先進芯片設計

?芯片制造商與EDA解決方案和廣泛的IP組合緊密合作, 能夠提升產品性能并加快上市時間 摘要: 新思科技數字和模擬EDA流程經過認證和優化,針對Intel 18A工藝實現功耗、性能和面積目標
2024-03-05 10:16:5984

思科技與英特爾深化合作加速先進芯片設計

近日,新思科技與英特爾宣布深化合作,共同加速先進芯片設計的步伐。據悉,新思科技的人工智能驅動的數字和模擬設計流程已經成功通過英特爾代工的Intel 18A工藝認證,這一突破性的進展標志著雙方在芯片設計領域的合作邁上了新臺階。
2024-03-06 10:33:59180

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