富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通實驗室和富士通株式會社聯合開發出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯（1）制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無線設備的功率放大器。作為先進科技的先驅，富士通開發完成了世界上第一代基于45納米工藝的CMOS晶體管，能夠處理10 V功率輸出，這使得晶體管能夠處理用于WiMAX（2）和其它高頻應用的功率放大器的高輸出要求。這一新技術能夠將功能放大器和CMOS邏輯控制電路在同一塊芯片上集成，可實現單芯片的工作模式，從而使生產出高性能和低功耗的功能放大器成為可行。

因為用于無線設備的功率放大器產生高頻時需要高功率輸出，目前廣泛使用砷化鎵（GaAs）等化合物半導體，功率放大器作為單獨的芯片貼裝，與通用CMOS邏輯芯片上的控制電路分離。如果在單一芯片上集成所有的功能可降低整個模塊的成本，并有可能被用于滿足無線設備及無線通信標準（WiMAX和LTE（3）。）的通訊速度要求。這要求晶體管不僅能夠兼容CMOS邏輯處理技術，而且能滿足WiMAX及其它無線通信標準對功率放大器的要求。

技術挑戰

功率放大器在面對高頻應用（如WiMAX）時，其所需功率輸出會超過使用標準CMOS邏輯制程的晶體管的擊穿電壓。要克服這一難題并同時維持CMOS工藝技術的兼容性，需要增加晶體管的擊穿電壓，而擊穿電壓的增加可通過降低漏極周圍的電場來實現，同時要注意電場的調整容易致使晶體管出現故障。另外，高擊穿電壓的結構往往容易增加晶體管的導通電阻（4），致使高頻時難以獲取滿意的性能。所以，無論使用種方案都需要增加擊穿電壓并同時避免導通電阻的升高。

為應對上述問題，富士通開發出帶有下列關鍵特性的新型晶體管結構（圖1）：

1.“低摻雜漏極”（LDD）區包圍該晶體管的漏極，并與門極重疊。這一結構既能降低水平擴展至漏極的電場，也能降低垂直擴展至門極氧氣層的電場，從而增加了擊穿電壓。

2.晶體管溝道內的摻雜物橫向斜度分布。這樣能夠降低溝道內漏極一側的摻雜物密度，同時限制漏電阻（漏電阻是導通電阻的重要組成部分）的增加。還能降低橫向向漏極擴展的電場，并能增加擊穿電壓。

通常提高CMOS晶體管擊穿電壓的方法是增加門極和漏極之間的寬度。與以往的方法相比，這一新結構不增加寬度也能有效抑制導通電阻。

此外，由于該結構只需形成LDD區和定制溝道區兩個額外步驟，因此能夠實現高度兼容3.3 V I/O（5） 的標準晶體管。

（測量頻率： 2.1 GHz; 門極寬度： 0.32 mm）

富士通通過使用45nm工藝技術把新型晶體管技術應用到3.3 V I/O的標準晶體管上，從而開發出了世界上首個能把擊穿電壓從6 V 提高到 10 V的晶體管。新型晶體管適用于功率放大器，它在最大振蕩頻率為43 GHz （圖2）時每個1mm門極寬度能夠輸出0.6 W（0.6 W/mm），展示了其作為功率放大器在面向WiMAX等高頻應用方面的卓越性能。新型晶體管在基本的可靠性測試上也取得了良好的測試結果。