Cadence宣布業內首個DDR4 Design IP解決方案在28納米級芯片上得到驗證
2012-09-10 09:53:241403 ARM (LSE:ARM; Nasdaq: ARMH) 和Cadence (NASDAQ: CDNS) 今天宣布合作細節,揭示其共同開發首款基于臺積電16納米FinFET制程的ARM?Cortex?-A57處理器,實現對16納米性能和功耗縮小的承諾。
2013-04-07 13:46:441509 Cadence設計系統公司(Cadence Design Systems, Inc.)(納斯達克代碼:CDNS)今日宣布與TSMC簽訂了一項長期合作協議,共同開發16納米FinFET技術,以其適用于
2013-04-09 11:00:05798 ARM近日宣布針對臺積電28HPM(High Performance for Mobile, 移動高性能)制程技術,推出以ARMv8為架構的Cortex-A57與Cortex-A53處理器優化套件(POP) IP解決方案
2013-04-18 10:33:521168 Cadence系統芯片開發工具已經通過臺積電(TSMC) 16納米 FinFET制程的設計參考手冊第0.1版與 SPICE 模型工具認證,客戶現在可以享用Cadence益華電腦流程為先進制程所提供的速度、功耗與面積優勢。
2013-06-06 09:26:451236 華力微業界傳出大陸華力微電子高層近期來臺拜會聯發科,表達大陸半導體政策已不再滿足于28納米制程,希望先進邏輯制程技術全面擁抱FinFET制程世代。
2015-08-09 13:03:071084 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內存下部設計為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡,這樣的設計可以保證金手指和內存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441485 DDR接口速率越來越高,每一代產品都在挑戰工藝的極限,對DDR PHY的訓練要求也越來越嚴格。本文從新銳IP企業芯耀輝的角度,談談DDR PHY訓練所面臨的挑戰,介紹芯耀輝DDR PHY訓練的主要過程和優勢,解釋了芯耀輝如何解決DDR PHY訓練中的問題。
2024-01-05 10:27:34520 IP CORE DDR3 PHY ECP3 USER CONF
2023-03-30 12:01:19
DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走!
2015-04-24 18:06:37
DDR4 SDRAM的尋址方式有哪些?
2021-10-27 06:50:24
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4 SDRAM結構和尋址DDR4 SDRAM的封裝和尋址新的改變功能快捷鍵合理的創建標題,有助于目錄的生成如何改變文本的樣式插入鏈接與圖片如何插入一段漂亮的代碼片生成一個適合你的列表創建一個
2021-07-29 06:58:22
(UG583)“UltraScale架構PCB設計用戶指南”的V1.10表示(通常)DDR4接口信號reset_n不需要滿足適用于地址/命令/控制組中其他信號的偏移約束。但是,在專門引用DDR4
2020-08-27 17:10:06
DDR4就一定比DDR3好嗎?
2021-06-18 06:22:29
DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么?DDR4全稱,DDR4-DRAM,與其他DDRDRAM一樣,是當前電子系統架構中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個關鍵字:存儲器
2021-11-11 07:13:53
DDR4相比DDR3的相關變更點相比DDR3,DDR4存在諸多變更點,其中與硬件設計直接相關的變更點主要有:?增加Vpp電源;?VREFDQ刪除;?CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為POD模式
2021-11-12 08:07:07
、特性增加等因素給DDR4帶來過多的管腳增加,DDR4中引入了ACT_n信號對部分ADD管腳進行功能復用。如圖1所示,DDR4中RAS_n與A16,CAS_n與A15,WE_n與A14管腳均存在復用關系
2019-11-12 12:40:17
還未接觸過DDR4,在LAYOUT顆粒設計中,布局布線上DDR3與DDR4有沒有區別?有哪些區別?
2019-03-07 10:11:39
DDR5和DDR4相比有什么優勢?
2021-06-18 08:19:59
的新芯片-熊湖(Bear Lake),其將支持DDR3規格,而AMD也預計同時在K9平臺上支持DDR2及DDR3兩種規格。 DDR4 DDR4內存峰會 據介紹美國JEDEC將會在不久之后啟動
2011-02-27 16:47:17
臺積電宣布5nm基本完工開始試產:面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
處理器。另外,蘋果去年底將4核心處理器交由臺積電試產,采28納米制程,未來將提升到20納米。 然而,蘋果A7處理器因耗電需MAX3232EUE+T求較大,應只會配載于iPad、iTV或是MacBook
2012-09-27 16:48:11
臺積電正在大量生產用于蘋果iPhone8手機的10nm A11處理器。消息稱,蘋果可能在下個月初正式發布iPhone 8,但是具體發貨日期仍然不確定。 據悉,臺積電已經采用10nm FinFET
2017-08-17 11:05:18
技術開發成功,同時透露會朝第二代的 FinFET 技術開發。若***一舉朝 7 納米前進,將會成為全球第四家 7 納米技術供應商,與英特爾、臺積電、三星分庭抗禮。同時,華為海思的麒麟980也搶先發布,首款
2018-09-05 14:38:53
MT40A512M16LY-075E:B MT40A1G8SA-075:EMT29F64G08CBABAWP:BMT40A256M16GE-083E IT:BMT40A512M8RH-083E:B 鎂光DDR4 時時發集團亞洲有限公司 QQ:535553245
2019-02-18 10:51:21
我已經通過AXI互連將用于PCI Express的DMA子系統連接到DDR4控制器IP。然而,這是在塊設計之外完成的。實際上我沒有使用塊設計。如果我使用塊設計,地址編輯器將出現在一個選項卡中,可以指定每個塊的AXI地址。但是如果沒有塊設計,我該如何打開地址編輯器?
2020-05-08 07:30:19
嗨,我正在嘗試在Kintex UltraScale(KCU105)中實現DDR4內存,但是(DDR4 SDRAM(MIG))中的特定部分不可用。部分是:MT401G16HBA-083E:我應該為實現這個內存做什么。?注意:我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
16納米FinFET制程,但因許多客戶認為16納米FinFET與目前量產中的20納米SoC制程相較,效能及功耗上并無太明顯的差距,也因此,臺積電加快腳步開發出16納米FinFET Plus制程,除了可較
2014-05-07 15:30:16
親愛的社區,我們正在使用 DDR4 (Micron MT40A512M16LY) 開發基于 iMX8MP 的定制板。我們能夠按照MSCALE_DDR_Tool_User_Guide.pdf中描述
2023-03-17 06:56:36
,未來就要看競爭對手的制程技術能否趕得上腳步。 近期高通與臺積電持續緊密合作,業界傳出在最先進的7納米制程技術上,臺積電因為技術開發領先三星電子(Samsung Electronics),可望拿回高通7
2017-09-22 11:11:12
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2021-05-08 17:42:19
如今,電腦已經成為了人們工作和娛樂中不可缺少的設備,越來越多的人選擇DIY一臺屬于自己的PC。在實際裝機之前,進一步地了解硬件是非常有必要的,就拿內存條來說,雖然現在主流已經是選擇DDR4了,很多人
2019-07-25 14:08:13
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2021-12-27 19:25:08
NXP IMX8M Mini DDR4 校準
2023-04-20 07:36:55
嗨,我是jongbum。目前,MIG UltraScale DDR4支持最高2級。https://forums.xilinx.com/t5/Memory-Interfaces
2020-04-22 08:36:21
利潤率為39.1%,凈利潤率為36.1%。盡管Q221凈利313億,但臺積電仍決定漲價,主要有以下兩個原因。首先,臺積電半導體漲價意在防止因提前大規模投資導致盈利能力惡化。臺積電在2021年4月份宣布
2021-09-02 09:44:44
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區別文所有權歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙比特翻轉”。DDR是一種技術,中國大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
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2021-01-30 17:36:35
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2021-09-08 14:59:58
在做一個集成DDR4內存條模組的硬件項目,需要對DDR4模組的信號進行板級仿真,在鎂光有下載到內存條的spice模型(.sp格式)和DDR芯片的.ibs模型;參考了Cadence Sigrity
2021-05-27 18:14:00
這些年,英特爾、三星、臺積電在制程上的恩恩怨怨,堪比武俠小說中恩怨情仇。這些大廠的爭斗均是圍繞14納米和16納米,那么問題來了,這個14納米和16納米有什么好爭的?下面芯易網就來簡單做一下介紹。納米
2016-12-16 18:20:11
這些年,英特爾、三星、臺積電在制程上的恩恩怨怨,堪比武俠小說中恩怨情仇。這些大廠的爭斗均是圍繞14納米和16納米,那么問題來了,這個14納米和16納米有什么好爭的?下面芯易網就來簡單做一下介紹。納米
2016-06-29 14:49:15
本帖最后由 dealicdz 于 2021-3-30 15:41 編輯
蘇州專業收購DDR4曉色又侵窗紙。窗外雞聲初起。蘇州長期高價回收DDR4,專業收購DDR4,深圳帝歐電子長期現金高價回收
2021-03-17 17:59:10
,所以只能以舊工藝(16nm制程)制造A10處理器。除此之外,臺積電還將獨家代工重大變化的2017年版iPhone采用的A11處理器。據稱A11芯片將采用10納米FinFET工藝,最早有望于明年二季度
2016-07-21 17:07:54
使用DDR4作為外接存儲單元時,蜂鳥e203的訪問地址為0x40000000,但是經過vivado的Block design后使用DDR4,在板子上跑測試DDR4讀寫程序,報store訪問異常
2023-08-11 06:17:58
其中之一。在去年底發布的iPhone 6s和iPhone6s Plus中,該公司采用了三星供應的14納米A9芯片,但同時也有部分機型采用了臺積電的16納米A9芯片。現階段的臺積電仍然是全球最大的合同制
2016-01-25 09:38:11
DDR4和DDR3的區別在哪里?DDR4內存與DDR3內存相比,有哪些優勢呢?
2021-06-18 08:58:23
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
DDR3/4 PHYRESPONSIBILITIES:1. Develop the specification & implement the circuit for the DDR
2017-11-13 14:46:14
中芯國際(SMIC)和Cadence共同推出用于65納米的低功耗解決方案Reference Flow 4.0
全球電子設計創新領先企業Cadence設計系統公司今天宣布推出一款全面的低功耗設計流程,面向
2009-11-04 17:05:17589 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態隨即訪問的內存美國JEDEC 的固態技術協會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 臺積電在10月16日的年度大會中,宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nmFinFET制程
2012-10-23 09:18:54810 該14納米產品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級工藝節點上開發系統級芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術以14納米標準設計的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270 益華電腦宣布,晶圓代工業者GLOBALFOUNDRIES已經認證Cadence實體驗證系統適用于65nm至14nm FinFET制程技術的客制/類比、數位與混合訊號設計實體signoff。同時
2014-03-25 09:33:50862 全球知名電子設計創新領先公司Cadence設計系統公司 (NASDAQ: CDNS),今日宣布臺積電采用了Cadence?16納米FinFET單元庫特性分析解決方案。
2014-10-08 19:03:221594 美國加州圣何塞(2014年9月26日)-全球知名電子設計創新領先公司Cadence設計系統公司(NASDAQ: CDNS)今日宣布,其數字和定制/模擬分析工具已通過臺積電公司16FF+制程的V0.9
2014-10-08 19:10:45663 美國加州圣何塞(2014年9月26日)-全球知名的電子設計創新領導者Cadence設計系統公司(NASDAQ: CDNS)今日宣布為臺積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。
2014-10-08 19:19:22919 本內容主要分析了基于FPGA的系統需求,賽靈思UltraScale FPGA DDR4和其他并行接口分析以及針對高性能高度靈活方案的PHY解決方案介紹。
2016-08-03 19:37:24190 將DDR4接口問題放在首位。除了設計將DDR4兼容UltraScale I/O PHY,他們從頭設計了DDR4 I/O PHY,然后擴展它的性能并支持其他I/O的需求。結果:基本的13位可編程字節通道,這首先是一
2017-02-08 14:03:01608 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬,DDR4的傳輸速率目前可達2133~3200MT/s。DDR4 新增了4 個Bank Group 數據組的設計,各個Bank
2017-11-07 10:48:5152790 近日,國際領先的定制化芯片設計方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應商——燦芯半導體有限公司對外宣布推出基于SMIC40LL工藝的第二代DDR低功耗物理層IP,該IP與第一代的低功耗DDR PHY相比面積減少20%。
2018-03-17 10:43:397321 DDR4內存目前還是絕對主流,不斷被深入挖潛,頻率已經突破5GHz,不過下一代DDR5也已經蠢蠢欲動了。
2018-05-11 11:48:325126 中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發完成階段,其試產的良率已經可以達到95%的水準,距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠
2018-07-06 15:23:523383 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯華電子(UMC)的先進14納米FinFET制程技術認證。ANSYS和聯電透過認證和完整套裝半導體設計解決方案,支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運算(HPC)應用不斷成長的需求。
2018-07-17 16:46:003391 三星宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內存模組,用于高性能筆記本產品。新的內存模組容量達到32GB單條,頻率2666MHz,結構上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789 晶圓代工大廠格芯在28日宣布,無限期停止7納米制程的投資與研發,轉而專注現有14/12納米FinFET制程,及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002111 本文介紹了DDR4技術的特點,并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內存,因為硬件極客對DDR4性能的不斷深挖,目前已經有接近5000MHz的量產內存。
2018-10-14 10:37:2823341 就在16日一早,韓國晶圓代工廠三星宣布發展完成 5 納米制程,并且推出 6 納米制程,并準備量產 7 納米制程的同時,晶圓代工龍頭臺積電也在傍晚宣布,推出 6 納米 (N6) 制程技術,除大幅強化
2019-04-17 16:42:502441 新思科技近日宣布與GLOBALFOUNDRIES (GF)合作,針對GF的12納米領先性能(12LP) FinFET工藝技術,開發覆蓋面廣泛的DesignWare? IP組合,包括多協議25G
2019-07-05 09:13:133145 2014年,推出了第四代DDR內存(DDR4),降低了功耗,提高了數據傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內存還具有改進的數據完整性,增加了對寫入數據的循環冗余檢查和片上奇偶校驗檢測。
2019-07-26 14:34:0145992 根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出,日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生
2019-08-19 15:45:223148 10月21日,SK海力士宣布開發適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
2019-10-21 16:10:362869 12月8日消息,近日,七彩虹推出了兩款DDR4 普條,都是DDR4 2666頻率,8GB單條售價188元,16GB單條售價299元。
2019-12-09 15:49:496112 DDR5相比DDR4有什么新特性?
2020-01-10 14:21:0410082 5月14日, Cadence宣布基于中芯國際14nm工藝的10Gbps多協議PHY研發成功,這是行業首個SMIC FinFET工藝上有成功測試芯片的多協議SerDes PHY IP。
2020-05-14 15:36:442619 應用提供優化的性能和吞吐量。面向 PCIe 6.0 的 Cadence IP 的早期采用者現在可以使用相應的設計套件。 Cadence 的這款 5 納米 PCIe 6.0 PHY 測試芯片在所有 PCIe 速率下都表現出了出
2021-10-26 14:28:004024 楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布,眾多領先的半導體和系統客戶已成功采用面向 TSMC 5nm 制程技術的全系列 Cadence? 設計 IP 產品。
2022-06-24 14:52:461586 ASIC設計服務暨IP研發銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE: 3035)今日推出支援多家晶圓廠FinFET工藝的芯片后端設計服務(design implementation service),由客戶指定制程(8納米、7納米、5納米及更先進工藝)及生產的晶圓廠。
2022-10-25 11:52:17724 本文檔定義了DDR4 SDRAM規范,包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號分配。本標準旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1720 中國上海,2022 年 12 月 27日 —— 楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布推出首個 LPDDR5X 存儲器接口 IP 設計,該優化后的設計可達
2022-12-27 10:49:041166 恩智浦和臺積電聯合開發采用臺積電16納米FinFET技術的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM,汽車廠商可以更高效地推出新功能,加速OTA升級,消除量產瓶頸 恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術
2023-05-26 20:15:02396 流程現已通過 Intel 16 FinFET 工藝技術認證,其 Design IP 現可支持 Intel Foundry Services(IFS)的此工藝節點。 與此同時,Cadence 和 Intel 共同發布
2023-07-14 12:50:02381 中國上海,2023 年 7 月 28 日——楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布,雙方已就 Cadence 收購 Rambus SerDes 和存儲器接口 PHY
2023-07-28 17:11:51989 和存儲器接口 PHY IP 業務。 隨著人工智能、數據中心和超大規模應用、CPU 架構和網絡設備日新月異的發展,此次技術資產收購豐富了 Cadence 現有的 IP 組合,并增強了公司的智能系統
2023-09-12 10:10:03299 、64G-LR 多協議 PHY、LPDDR5x/5、GDDR7/6 和 UCIe 中國上海,2023 年 9 月 26 日——楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布擴大其在 TSMC 3nm(N3E)制程上的設計 IP 產品組合,其中最引人注目
2023-09-26 10:10:01321 DDR4和DDR3內存都有哪些區別? 隨著計算機的日益發展,內存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內存的標準。隨著DDR4內存的逐漸普及,更多的人開始對兩者有了更多的關注。 DDR
2023-10-30 09:22:003905
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