E2PROM存儲器存儲單元的損壞主要是由頻繁的寫操作造成的。若要解決問題,首先耍避免對同一單元進行頻繁的擦寫,降低存儲單元損壞的可能;其次當某些單元損壞時,讀寫控制器應該能夠跳過這些損壞的單元,保證系統能繼續正常工作。本文設計的E2PROM控制器具有這兩個方面的功能。
2020-07-22 17:32:521065 就基本的 SSD 存儲單元而言,有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中,TLC 是最受歡迎的,不過,QLC 最終將取代它們。在 I/O 方面,有 SATA 和 NVMe。
2022-08-26 16:41:353275 在芯片設計時,通常需要用到各種類型的存儲單元,用以臨時或者永久地存儲數據。根據應用場合的不同,所用到的存儲單元也不同。本文對常見的幾個存儲單元進行了介紹,并簡述了其工作原理和特點。需要特別
2022-12-02 17:36:241953 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:11 編輯
24C02串行E2PROM的讀寫
2012-08-10 14:07:14
`<p><font face="Verdana">三極管的三種工作狀態</font&
2008-07-14 10:23:22
不同外,其工作原理都是相同的。 二、晶體三極管的三種工作狀態 三極管的三種狀態也叫三個工作區域,即:截止區、放大區和飽和區。 (1)、截止區:三極管工作在截止狀態,當發射結電壓Ube小于
2020-12-25 15:24:23
三極管有放大、飽和、截止三種工作狀態,放大電路中的三極管是否處于放大狀態或處于何種工作狀態,對于學生是一個難點。筆者在長期的教學實踐中發現,只要深刻理解三極管三種工作狀態的特點,分析電路中三極管處于
2019-03-05 07:00:00
三種啟動模式對應的存儲介質均是芯片內置的,它們分別是:1)用戶閃存 = 芯片內置的Flash。2)SRAM = 芯片內置的RAM區,就是內存啦。3)系統存儲器 = 芯片內部一塊特定的區域,芯片出廠時在這個區域預置了一段Bootloader,就是通常說的ISP程序。這個區域的內容在...
2021-07-22 08:33:03
Teledyne e2v為系統設計師提供的定制方案處理器功耗的背景知識三種調整處理器系統功耗的方法
2021-01-01 06:04:09
存儲位元與存儲單元是什么含義?數據通信的方式可以分為哪幾種呢?
2022-01-21 07:17:58
僅作為學習記錄,大佬請跳過。這些東西都是存儲器關鍵詞:RAM和ROM兩大類ROM——PROM、EPROM、E2PROM、FLASH1、RAM、ROM對電腦來說,RAM是內存,ROM是硬盤2、PROM
2021-12-10 06:46:06
設存儲器讀/寫周期為 0.5us, CPU在1us內至少要訪問一次。試問采用哪種刷新方式比較合理? 兩次刷新的最大時間間隔是多少? 對全部存儲單元刷新遍所需的實際刷新時間是多少?
2021-10-26 07:05:19
AT24C02串行E2PROM的工作原理與讀寫
2012-07-31 21:47:47
0A0H,10H,01H,02H,03H,04H,05H,06HEND[size=+1] 讀寫子程序如下:[size=+1];寫串行E2PROM子程序EEPW; R3=10100000(命令1010+器件
2020-07-14 18:17:19
相關寄存器 :EEDR數據寄存器(用來存儲要發送的或者是接受的數據)。地址寄存器EEAR:E2Prom的內部地址。EECR:控制寄存器。位0,讀使能位。位1寫使能位。位2主寫使能位。位3中斷就緒
2013-05-13 22:55:34
板上接了一塊 FT24C32A 的E2PROM, 掛在在 I2C2, SCL-->PB10, SDA-->PB11, 寫數據地址是16位,2字節同樣的代碼在F4上讀寫正常
2022-09-14 10:11:34
。FRAM的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題;但受鐵電晶體特性制約,FRAM仍有最大訪問(讀)次數的限制。2.1 FRAM存儲單元結構FRAM
2014-04-25 13:46:28
各位大神幫幫忙,,,下面是E2PROM單字節讀寫操作,主要想問下C語言相關知識,單個字節是如何轉十進制字符串格式的(就是main函數里面加問好注釋的那里)?例程看不懂,網上搜索了也是一知半解,誰能
2017-08-01 22:54:55
1.(判斷題)DRAM上電時存儲單元的內容是全0,而Flash上電時存儲單元的內容是全1。(4分) A.正確B.錯誤 FLASH可保存 上電后不知道是啥2.(判斷題)眼圖可以用來分析高速信號的碼間
2021-07-22 08:57:49
判斷題:DRAM上電時存儲單元的內容是全0,而Flash上電時存儲單元的內容是全1
2017-08-23 09:29:31
方式邊界對齊的數據存放方法主存的基本結構和工作過程存儲系統的層次結構半導體存儲器靜態MOS存儲器 SRAM靜態MOS存儲單元靜態MOS存儲器的結構動態MOS存儲器 DRAM四管動態MOS存儲元的工作
2021-07-28 07:59:20
Nand Flash的物理存儲單元的陣列組織結構Nand flash的內部組織結構,此處還是用圖來解釋,比較容易理解:圖2.Nand Flash物理存儲單元的陣列組織結構[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10:18
QSPI特點QSPI三種工作模式
2020-12-31 06:36:55
請教Arm專家大俠: SOC內SRAM各存儲單元, 其“每次上電冷啟動后、還未寫入應用數據前的初始狀態數據”是否是由其硬件電路保證總是一樣的(全0或全1)?不會隨機變化(有時為0有時為1)? 能否從硬件原理角度簡單說明下? 謝謝。
2022-08-19 15:37:40
SRAM+E2PROM存儲卡。RAM容量:64KB。E2PROM容量:64KB。輸入輸出點數:4096點。輸入輸出元件數:8192點。程序容量:1000 k步QD64D2用戶手冊。處理速度
2021-09-01 07:02:40
STM32三種啟動模式對應的存儲介質是什么?
2022-01-27 07:00:03
淺識STM32的三種boot模式文章目錄淺識STM32的三種boot模式任務摘要一、認識boot1.三種BOOT模式介紹2.開發BOOT模式選擇3.STM32三種啟動模式4.三種模式的存儲地址二
2021-12-10 07:46:37
接觸arm不久現在不知道該如何下手,具體的設計步驟是什么,需要進行哪些配置?目前選用Atmel的AT25512串行SPI EEPROM連接到ARM的SPI0接口,暫時只要實現對E2PROM的簡單讀寫就好,希望有好朋友賜教。
2016-05-13 11:34:24
niosii編譯提示on-chip menmory 存儲單元不夠,怎么解決?
2015-01-18 09:31:43
主存中存儲單元地址是如何進行分配的?存儲芯片的容量有多大?
2021-10-19 08:25:52
4.2.1.主存中存儲單元地址的分配:存儲字長:存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進制代碼的位數,即存儲器中的MDR的位數。字(word) : 若干個字節組成一一個”字” ( word)。一
2021-07-28 06:43:06
介紹一下引腳的三種狀態
2022-01-14 07:12:14
硬件連接這里連接的MCU引腳是IIC-SCL——Pb8IIC_SDA——PB9打算實現的效果從24C64的E2PROM中的一個地址中寫入一個字節,在串口上面打印出來剛剛寫入的那個字節;然后再從E2中
2022-01-11 06:27:03
基于Keil C的AT24C02串行E2PROM的編程AT24C02是美國Atmel公司的低功耗CMOS型E2PROM,內含256×8位存儲空間,具有工作電壓寬(2.5~5.5
2009-08-18 17:13:25
大家好,有人能告訴我,如果我可以使用內部閃存像內部E2PROM?謝謝你,Doralice
2020-05-15 12:28:22
E2PROM。但我不知道該怎么做?我已經研究了相關文件到E2PROM,AN2015。它使用一個數組來存儲寫入E2PROM的數據。然而,當要寫入大量數據時,這是不實際的。有沒有人知道其他方法將校準數據下載
2018-12-03 11:43:14
從串口接收的數據想要存儲到一個64k外部數據存儲器里面怎么做呢? 另外,就是如何把三種波形都存儲起來,想調用的時候,就按鍵就可以調用出來呢?
2019-07-02 03:06:44
怎么把單片機存儲單元清0或置1?
2023-10-16 07:59:42
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
本人菜鳥一枚,最近思考一個問題。帶有E2PROM的設備連接在電腦上,做怎樣的設計才能使E2PROM中存貯的數據不會被篡改呢。我感覺連接在電腦上好不安全0.0。有大神能指導一下嗎
2016-08-01 16:44:01
關于MCU的存儲方面,以前基本上用內置的E2PROM,或者是外置的NOR?Flash?就可以了。但隨著物聯網的興起,MCU的應用越來越廣泛了,逐漸的MCU會涉及到大容量的存儲需求,用來存儲音頻,圖片
2019-10-10 16:55:02
通過串口向 PC 機發送電壓值,通過串口接收系統配置參數并保存到 E2PROM 中。設備硬件部分主要由電源部分、控制器單元、串口部分、存儲單元組成,系統框圖如圖 1 所示 :設計任務及要求1...
2021-12-21 06:16:09
有什么方法可以延長E2PROM芯片的壽命?又如何去實現它呢?
2021-04-08 06:57:25
一般單片機都有內部E2PROM,可以保存運行中數據,掉電數據不消失,STM32有類似這樣的東西嗎?
2020-04-08 02:25:38
請問在F28M35中,是否在FLASH中存在一個區域被劃為E2PROM,請問該如何使用這片區域,有多大,謝謝
2018-11-08 09:54:59
如何用單片機讓三極管出現三種不同的電平狀態?
2023-10-10 06:56:03
我能在ISR中使用E2PROM嗎??我得到了錯誤…
2019-10-10 10:46:34
進程類型進程的三種狀態
2021-04-02 07:06:39
針對基于SRAM工藝的器件的下載配置問題,本文介紹采用AT89S2051單片機配合串行E2PROM存儲器,實現CPLD/FPGA器件的被動串行(PS)模式的下載配置。
2021-04-13 06:25:40
與單片機內部E2PROM中的密碼是否相同,如密碼相同則開鎖、執行開鎖動作、輸出開鎖信號、進入正常狀態,否則繼續等待用戶開鎖(為防止非法用戶惡意多次試探密碼,可在程序中設置當連續三次輸入錯誤密碼后自動報警
2018-07-19 02:04:41
。鑒于以往單片機的內部程序存儲器不能由單片機自身修改,要完成修改密碼功能,多采用片外串行E2PROM實現。宏基公司生產的STC89系列單片機,高速、低功耗、新增在系統/在應用可編程(ISP,IAP
2009-10-23 09:58:47
現象:單片機采用硬件I2C讀取E2PROM,當單片機復位時,會有概率出現再無法與E2PROM通信,此時SCL為高,SDA一直為低。原因:當單片機正在和E2PROM通信,如果主正好發生打算發第9個時鐘
2017-08-29 20:17:26
一款實用的串行E2PROM讀寫軟件
2006-04-26 16:53:13101 內置Reset WDT 電路的串行E2PROM一概述CSI24Cxxx 是集E2PROM 存儲器, 精確復位控制器和看門狗定時器三種流行功能于一體的芯片CSI24C161/162 16K CSI24C081/082 8K CSI24C041/042 4K 和CSI24C021/022
2008-07-20 18:14:3535 CAT24Cxxx是集E2PROM存儲器, 精確復位控制器和看門狗定時器三種流行功能于一體的芯片。CAT24C161/162(16K),CAT24C081/082(8K),CAT24C041/042(4K)和CAT24C021/022(2K) 主要作為I2C 串行CMOS E2PR
2009-11-18 11:22:0353 E2PROM 是較常用的存儲器件。但在特殊的場合,其可靠性或其使用壽命對系統的正常運行有很大影響。為此介紹了I2C 總線及E2PROM 的工作原理,提出了一種具有較高可靠性的E2PROM 控制
2010-01-13 15:14:5315 對第一代開關電流存儲單元產生的時鐘饋通誤差做了合理的近似分析,設計了一種高性能開關電流存儲單元。該電路僅在原存儲單元的基礎上增加了一個MOS管,使誤差降為原來的4%,
2010-07-05 14:50:4822 功放管的三種工作狀態低頻功率輸出級按功放管的工作狀態為甲類、乙類、丙類三種。它們
2006-04-17 23:21:503005 低電壓甲乙類開關電流存儲單元
引言 開關電流存儲單元是電流模式采樣數據信號處理系統的基本單元電路,其性能的優
2007-08-15 16:06:29563 AT93C46 E2PROM存儲器各引腳功能及管腳電壓
概述:AT
2008-10-10 14:57:367732 內帶E2PROM的數字電位器
數字控制電位器(DCP)是一種可由外部微處理器等來自由設定阻值的可變電阻器。與機械式電位器不同,它沒有可動部分,因
2009-07-29 15:23:291774 功放三極管的三種工作狀態工作狀態
低頻功率輸出級按功放管的工作狀態為甲類、乙類、丙類三種。
它們各有特點:
 
2009-09-17 08:29:1113331 三態MOS動態存儲單元電路
2009-10-10 18:45:491213 功放管的三種工作狀態
低頻功率輸出級按功放管的工作狀態為甲類、乙類、丙類三種。
它們各有特點:
2009-12-02 11:05:342497 熔絲型PROM的存儲單元
2009-12-04 12:25:262228 使用FAMOS管的存儲單元
2009-12-04 12:27:29875 E2PROM的存儲單元
2009-12-04 13:03:571468 六管NMOS靜態存儲單元
2009-12-04 15:30:036567 四管動態MOS存儲單元
2009-12-04 16:34:142284 單管動態MOS存儲單元
2009-12-04 16:50:243757 基于SPI方式DSP外部E2PROM接口設計
0 引 言
近年來,隨著DSP技術的普及、高性能DSP芯片的出現,DSP已越來越多地被廣大的工程師所接受,
2010-01-06 14:10:531910 電子專業單片機相關知識學習教材資料——ARM基礎應用實驗04E2PROM存儲器
2016-09-13 17:23:280 應用于超低電壓下的SRAM存儲單元設計_劉冰燕
2017-01-07 21:39:440 使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 。O工P存儲器的種類很多,很多是基于熔絲和反熔絲,本文介紹的O工P存儲器基于反熔絲結構。在反熔絲O工P存儲器中,通過對選中單元的編程改變了存儲單元內部的結構。理想的讀機制下,沒有編程的存儲單元讀取時會讀出0,而通過編程的存儲單元在讀取時會讀出1。反
2017-11-07 11:45:2111 本文檔的主要內容詳細介紹的是AT24C02串行CMOS E2PROM的使用資料詳解。
2019-06-14 17:44:0010 存儲單元的作用:可以進行讀寫操作以及存放數據。
2020-03-22 17:34:004034 靜態RAM的基本構造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發存儲單元,再通過位線對所觸發的存儲單元進行讀出或寫入。在靜態CMOS存儲器中,存儲單元陣列將會占去整個存儲器芯片面積的一半以上,在一些
2020-05-14 09:19:473282 等。 靜態存儲單元(SRAM)的典型結構: T5、T6、T7、T8都是門控管,只要柵極高電平,這些管子就工作在可變電阻區當作開關。 其中存儲單元通過T5、T6和數據線(位線)相連;數據線又通過T7、T8和再經輸入/輸出緩沖電路和輸入/輸出線相連接,以實現信息的傳遞和交換。寫入
2020-12-02 14:31:302182 數據必須首先在計算機內被表示,然后才能被計算機處理。計算機表示數據的部件主要是存儲設備;而存儲數據的具體單位是存儲單元;因此,了解存儲單元的結構是十分必要的。
2021-01-08 10:03:552269 閃速存儲器(Flash Memory)又稱閃存(Flash),是一種非易失性存儲器,用存儲單元閾值的高低表示數據。浮柵(Floating Gate )場效應管(見圖5-80)是Flash存儲單元采用的主要技術。
2022-08-08 15:46:001076 使用的存儲單元可以執行1013次寫/讀操作,大大超過了閃存或E2PROM可以重寫的次數。不需要像閃存和E2PROM這樣的長寫入時間,并且寫入等待時間為零。 因此,無需等待寫入完成序列。
2022-11-17 15:31:27573
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