日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業設備和車載領域為中心的、輸入電壓24V的DC/DC轉換器。
2012-08-08 09:18:23
1142 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381451 最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361028 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
鋰電池應用領域電池主要應用在消費類產品、數碼類產品、動力產品、醫療和安防等。鋰電池保護板 MOS管選型以下為30V、40V、60V、80V、100V MOS管選型表，電流、內阻覆蓋密集，重點發展領域
2020-10-09 14:25:10
電流峰值限流、過溫保護等。SL3063外圍電路簡單，封裝采用SOP8。應用范圍高電壓功率轉換電動車車載設備汽車系統平衡車電池供電系統工業電力系統應用電路
2022-05-23 09:31:25
型號:HC080N06LS【06N06】絲?。篐C606參數：60V 6A 類型：N溝道場效應管 溝槽型內阻72mR低結電容435pF 封裝：SOT23-3低開啟電壓1.8V廣泛用于車燈照明、車載
2021-03-08 16:42:08
本帖最后由 深圳市巴丁微電子 于 2016-11-7 15:51 編輯
BD8153是一款由深圳市巴丁微電子有限公司推出的輸入耐壓可達40V的降壓式DC/DC驅動電路，能夠實現精確的恒流以及
2016-10-31 15:03:46
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
安全保護機制包括逐周期電流峰值限流、過溫保護等。SL3061外圍電路簡單，封裝采用SOP8。
產品特點:● 最大2.5A輸出電流● 6V至40V寬工作電壓范圍● 內置功率MOSFET
2023-11-13 15:24:19
MOSFET140KHZ-500KHZ頻率可調過溫保護逐周期過流保護＞90%的效率低功耗輸出電壓可調采用SOP8封裝應用高電壓功率轉換電動車車載設備電池供電系統工業電力系統汽車系統平衡車電路
2022-05-31 10:36:57
通過向柵極施加正電壓來控制漏極電流。N 溝道場效應管N 溝道 MOSFET 的 N溝道區域位于源極和漏極之間。它是一個四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體。這種類型的場效應晶體管的漏極和源極
2023-02-02 16:26:45
），基本原則就是在保證功率MOS管的溫升和系統效率的前提下，選取參數和封裝更通用的功率MOS管。小到選N型還是P型、封裝類型，大到MOSFET的耐壓、導通電阻等，不同的應用需求千變萬化，工程師在選擇
2023-02-17 14:12:55
`N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進的溝槽技術RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進的溝槽技術◆40V/ 100A[tr]提供優異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
東芝推出了TZ1041MBG，希望滿足市場對能夠支持多個外部傳感器的物聯網設備日益增長的需求，其提供一個利用藍牙的擴展集線器功能的多功能通信環境。
2020-05-18 06:20:47
。TB9083FTG這款新產品能夠控制和驅動用于驅動3相直流無刷電機的外置N溝道功率MOSFET。它非常適合用于滿足ISO 26262功能安全性標準第二版 ^[2]^ 的要求，并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51
，合適于功率MOSFET的應用。這種結構稱為垂直導電雙擴散MOS結構VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
到 40V 以上； ★內部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統成本低； ★內置輸入過壓保護、過溫保護、過流保護、短路保護全套可靠性保護電路，可靠性高； ★IC 內部集成 CC/CV 環路，CC
2015-12-18 11:36:06
兼容到 40V 以上； ★內部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統成本低； ★內置輸入過壓保護、過溫保護、過流保護、短路保護全套可靠性保護電路，可靠性高； ★IC 內部集成 CC/CV 環路，CC
2015-12-10 14:10:17
車載吸塵器MOS DFN3333小封裝 低內阻 原廠直銷東莞市惠海半導體有限公司研發設計、生產銷售高品質價格有優勢的低結電容、低內阻MOS管 。HC3039D中壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝
2020-06-08 15:02:21
的需求將更加激烈。車載用電子元器件中動作溫度-40～+125℃，根據場合不同也可達到+150℃。http://www.kaiyuexiang.com/index.aspx 追求速度和效率的車載用時鐘晶振的小型化、高精度、高信賴性包括成本都將根據顧客的需求進行開發，最大程度提高客戶滿意度。`
2017-06-07 15:20:15
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
到 40V 以上； ★內部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統成本低； ★內置輸入過壓保護、過溫保護、過流保護、短路保護全套可靠性保護電路，可靠性高； ★IC 內部集成 CC/CV 環路，CC
2016-01-28 16:44:20
到 40V 以上； ★內部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統成本低； ★內置輸入過壓保護、過溫保護、過流保護、短路保護全套可靠性保護電路，可靠性高； ★IC 內部集成 CC/CV 環路，CC
2016-02-02 10:39:50
到 40V 以上； ★內部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統成本低； ★內置輸入過壓保護、過溫保護、過流保護、短路保護全套可靠性保護電路，可靠性高； ★IC 內部集成 CC/CV 環路，CC
2016-01-05 16:04:10
的要求。鈺泰ETA9698具備如下特點：1、輸入耐壓高達40V，適應車載、快充和PD等市場的高耐壓要求；2、輸出5V常開，待機功耗小于3μA，真正的超低功耗；3、充電電流靈活可調，最大1A，適用各種電
2021-06-07 08:52:18
/>【正文快照】：IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅
2010-05-06 08:55:20
概述：MAX1553能夠以恒定電流驅動串聯的白色LED，為蜂窩電話、PDA及其它手持設備提供高效的顯示器背光驅動。這款升壓轉換器內部包含一個40V、低RDSON的N溝道MOSFET開關，可提高效率、延長電池壽命。
2021-04-21 07:38:25
概述：MAX1554能夠以恒定電流驅動串聯的白色LED，為蜂窩電話、PDA及其它手持設備提供高效的顯示器背光驅動。這款升壓轉換器內部包含一個40V、低RDSON的N溝道MOSFET開關，可提高效率
2021-05-18 06:06:09
。OC5820 采用 ESOP8 封裝，且外圍元器件少。特點? 2.5A 的峰值輸出電流? 40V/3A 的內部功率 MOSFET? 效率高達 93%? 頻率可調? 熱關斷? 逐周期過流保護? 寬輸入電壓范圍：6
2022-01-13 09:35:22
SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道供應【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL413 -40V-20A 3
2020-05-27 10:58:52
柵極電壓低于10V時，二極管電壓鉗位于各種漏極電流水平。在非線性曲線中見到的彎曲是二極管和歐姆區之間的轉變點。圖6：施加柵極電壓時，N溝道MOSFET工作在第三象限的典型特性表1對N溝道MOSFET和P溝道MOSFET進行了比較。表1：N溝道和P溝道MOSFET的比較
2018-03-03 13:58:23
一般說明PW6513系列是一款高精度，高輸入電壓，低靜態電流，高速，低具有高紋波抑制的線性穩壓器。輸入電壓高達40V，負載電流為在電壓=5V和VIN=7V時高達300mA。該設備采用BCD工藝制造
2020-12-17 18:16:33
2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V
2020-06-13 11:47:55
溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝
2020-06-19 10:57:37
SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道
2020-06-05 10:20:57
P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V
2020-06-20 10:04:16
N溝道SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道
2020-06-20 10:05:27
支持最大2.5A的輸出電流，可以滿足大部分電源應用的需求。
該芯片的最大特點是其降壓能力，可以將40V的輸入電壓降至12V或5V，具有非常廣泛的應用范圍。由于其精度高、穩定性好、響應速度快等優點
2023-12-12 16:11:08
【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-20 10:11:31
`SL3402 30V4A 40毫歐SOT23-3LSL3402 N溝道場效應管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導體專業中低壓mos管，經驗豐富，實力雄厚，技術支持。是您值得信賴合作的實力中低
2020-06-22 10:53:25
N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884
2020-06-22 11:03:37
MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-24 10:37:08
管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-24 10:39:23
N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884
2020-06-24 10:40:54
溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N溝道
2020-06-09 10:36:41
2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL413 -40V-20A 3 TO-252封裝 P溝道SL4185-40A-44A TO-252封裝 P溝道
2020-07-27 17:15:08
溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N
2020-06-10 14:31:13
`SUN2310SGP溝道增強型功率場效應管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術。這種高密度的工藝特別適用于減小導通電阻。適用于低壓應用，例如移動電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
40V同步整流芯片國內首家 小封裝SOT-23 mk100大電流降壓IC高壓大電流小封裝 同步整流芯片mk100 SOT23小封裝 0.6A大電流 40V高壓大功率同步整流芯片mk100
2015-09-18 12:02:41
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
的36V提高到40V。車燈控制單元的耐壓需求因用戶的不同而有所不同，但通過此次改善， 該產品可應用于所有的車型。4，通過小型封裝保持低發熱特性 采用和以往產品一樣實現小型封裝（JEDEC 5pin
2009-02-09 13:23:48
采用 ESOP8 封裝，且外圍元器件少。特點? 2A 的峰值輸出電流? 40V/3A 的內部功率 MOSFET? 低 ESR 陶瓷電容輸出穩定? 效率高達 96%? 頻率可調? 熱關斷? 逐周期過流保護
2020-11-20 11:55:05
機制包括逐周期電流峰值限流、過溫保護等。SL3061外圍電路簡單，封裝采用SOP8。特點最大2.5A輸出電流6V至40V寬工作電壓范圍內置功率MOSFET140KHZ-500KHZ頻率可調過溫保護逐周期
2022-06-10 15:16:08
TO-252 N溝道 MOS管30V 85A TO-252 N溝道 MOS管 【40V MOS N溝道】40V 10A SOP8 N溝道 MOS管【60V MOS N溝道】60V 3A SOT23 N
2020-11-02 16:02:10
ESOP8 封裝，且外圍元器件少。特點? 2A 的峰值輸出電流? 40V/3A 的內部功率 MOSFET? 低 ESR 陶瓷電容輸出穩定? 效率高達 96%? 頻率可調? 熱關斷? 逐周期過流保護
2021-12-09 09:25:14
應用中，都會選取多管并聯的方式。如果不能采用多管并聯，除了選取性能更優異的功率MOSFET，另外可以采用更大尺寸的封裝或新型封裝，例如在一些AC/DC電源中將TO220改成TO247封裝；在一些通信系統
2019-04-04 06:30:00
新型車載影音系統的工作原理是什么？如何去設計一種新型車載影音系統？
2021-05-12 06:46:11
性價比的恒壓恒流降壓型DC-DC產品主要特點-完美的車載充電器方案-輸入耐壓可達40V -內置85mΩ高位NMOS可輸出3.5A電流-內置高精度恒流以及恒壓控制環路-超高恒流精度 ±3%-恒壓精度 ±1.5
2016-11-13 15:02:42
針對車載充電的全系列全集成方案芯片，內部集成過熱保護、過流保護、輸入過壓保護、短路保護等全套可靠性保護電路，系統最大輸出電流達到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉換效率高，外圍元器件少
2016-04-29 09:56:58
針對車載充電的全系列全集成方案芯片，內部集成過熱保護、過流保護、輸入過壓保護、短路保護等全套可靠性保護電路，系統最大輸出電流達到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉換效率高，外圍元器件少
2016-05-20 09:29:59
針對車載充電的全系列全集成方案芯片，內部集成過熱保護、過流保護、輸入過壓保護、短路保護等全套可靠性保護電路，系統最大輸出電流達到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉換效率高，外圍元器件少
2016-06-08 10:23:40
特性。施加柵極電壓時，根據VGS的值會產生非線性曲線。當VGS超過10V時，N溝道MOSFET完全在第三象限歐姆區內工作。然而，當柵極電壓低于10V時，二極管電壓鉗位于各種漏極電流水平。在非線性曲線中
2021-04-09 09:20:10
導讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產品
2018-11-29 17:13:53
保護機制包括逐周期電流峰值限流、過溫保護等。SL3061外圍電路簡單，封裝采用SOP8。產品特點最大2.5A輸出電流6V至40V寬工作電壓范圍內置功率MOSFET140KHZ-500KHZ頻率可調過溫
2022-05-20 14:12:46
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅動更高功率得益于半導體和封裝技術的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
電流值。AON6590(40V，0.99mΩ)電流連續漏極電流ID脈沖漏極電流IDM連續漏極電流IDSM雪崩電流IAS 1 連續漏極電流ID連續漏極電流在功率MOSFET的數據表中標示為電流ID，對于
2016-08-15 14:31:59
到 40V 以上； ★內部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統成本低； ★內置輸入過壓保護、過溫保護、過流保護、短路保護全套可靠性保護電路，可靠性高； ★IC 內部集成 CC/CV 環路，CC
2016-02-18 13:32:54
到 40V 以上； ★內部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統成本低； ★內置輸入過壓保護、過溫保護、過流保護、短路保護全套可靠性保護電路，可靠性高； ★IC 內部集成 CC/CV 環路，CC
2016-02-24 15:29:36
到 40V 以上； ★內部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統成本低； ★內置輸入過壓保護、過溫保護、過流保護、短路保護全套可靠性保護電路，可靠性高； ★IC 內部集成 CC/CV 環路，CC
2016-02-29 15:05:33
針對車載充電的全系列全集成方案芯片，內部集成過熱保護、過流保護、輸入過壓保護、短路保護等全套可靠性保護電路，系統最大輸出電流達到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉換效率高，外圍元器件少
2016-03-03 09:56:38
針對車載充電的全系列全集成方案芯片，內部集成過熱保護、過流保護、輸入過壓保護、短路保護等全套可靠性保護電路，系統最大輸出電流達到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉換效率高，外圍元器件少
2016-03-09 10:04:23
針對車載充電的全系列全集成方案芯片，內部集成過熱保護、過流保護、輸入過壓保護、短路保護等全套可靠性保護電路，系統最大輸出電流達到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉換效率高，外圍元器件少
2016-03-22 09:38:07
針對車載充電的全系列全集成方案芯片，內部集成過熱保護、過流保護、輸入過壓保護、短路保護等全套可靠性保護電路，系統最大輸出電流達到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉換效率高，外圍元器件少
2016-03-31 14:00:21
針對車載充電的全系列全集成方案芯片，內部集成過熱保護、過流保護、輸入過壓保護、短路保護等全套可靠性保護電路，系統最大輸出電流達到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉換效率高，外圍元器件少
2016-04-07 13:57:39
針對車載充電的全系列全集成方案芯片，內部集成過熱保護、過流保護、輸入過壓保護、短路保護等全套可靠性保護電路，系統最大輸出電流達到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉換效率高，外圍元器件少
2016-04-27 15:28:07
，高輸出功率下損耗的降低，會導致低負載范圍內損耗的升高。 英飛凌通過推出阻斷電壓為40V和60V的新型MOSFET，為在整個負載范圍內大幅降低各種損耗創造了條件。 通過對測量曲線進行直接比對，結果顯示
2018-12-06 09:46:29
1.0mmｘ1.0mmｘ0.6mm車載級封裝?支持AEC-Q100?工作溫度范圍：Ta＝40℃～+125℃（Tjmax.150℃）?支持小型陶瓷電容（Min.0.22μF）?低耗電量（Typ.35μA）?高紋波抑制率
2018-12-04 10:13:49
采用 ESOP8 封裝，且外圍元器件少。特點? 2A 的峰值輸出電流? 40V/3A 的內部功率 MOSFET? 低 ESR 陶瓷電容輸出穩定? 效率高達 96%? 頻率可調? 熱關斷? 逐周期過流保護
2020-11-09 17:11:00
今天巴丁微電子來給大家推薦一款高性能車載驅動芯片-B8153A，下面是對這款新型產品一些簡單描述。產品概述：BD8153是一款輸入耐壓可達40V的降壓式DC/DC驅動電路，能夠實現精確的恒流以及恒壓
2016-11-05 09:27:03
創新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
德州儀器 (TI) 公司采用創新的封裝技術，面向高電流DC/DC應用，推出5款目前業界首個采用封裝頂部散熱的標
2010-03-01 11:37:22828 
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16692 東芝于日前宣布，開始銷售可確保在175℃條件下工作的車載設備用功率MOSFET“TK80A04K3L”。這是一款耐壓為＋40V的n通道產品，是該公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成員。除車載電子設備外，還可用于工業電子設備和消費類電子產品等的馬達驅動電路和開關穩壓器。
2013-01-23 09:25:13737 新產品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側翼端子結構，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463094 NP3P06MR(40V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:23914 
Vishay?七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊 靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術 在小型封裝中內置各種電路配置 Vishay? 針對車載充電應用專門推出七款新型二極管
2022-11-25 15:20:05926 ”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。 ? 近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGLTM封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產品未采用內部接線柱[1]結構，
2023-02-04 18:31:452676 采用 SOT78 封裝的 N 溝道 40 V、1.7 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R9-40PL
2023-02-23 18:38:59
0 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-03-13 19:19:530 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32728 應用: DC-DC轉換 SMPS中的同步整流 硬開關和高速電路 電動工具 電機控制 概述： PL1303N04是寶礫微推出的4開關N溝道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封裝。產品具有較強
2023-04-11 14:47:50515 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-04 20:37:240 點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（簡稱“東芝”） 拓展了其車載 -60V P 溝道 MOSFET 的產品線，現已開始量產兩款采用 SOP Advance(WF
2023-07-19 17:35:02378 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10601 
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