科銳首席執行官Gregg Lowe表示：“
英飛凌具有很好的美譽度，是我們長期且優質的商業伙伴。這項
協議的
簽署，體現了科銳
SiC碳化硅晶圓片技術的高品質和我們的產能擴充，同時將加速
SiC碳化硅基方案更為廣泛的采用，這對于實現更快、更小、更輕、更強大的電子系統至關重要?！?/div>
2018-04-04 09:00:59
7450 內交付給ST。 科銳（Cree）與意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布擴大并延伸現有多年長期碳化硅（SiC）晶圓供應協議至5億多美元。意法半導體是全球領先的半導體供應商，橫跨多重電子應用領域。這一延伸協議是原先協議價值的雙倍，科銳將在未來數年向意
2019-11-20 10:04:106045 碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規模生產，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:02887 
的各種碳化硅（SiC）材料的供應安全。 ? 據了解，碳化硅是高效而強大的功率半導體，尤其是光伏、工業電源和電動汽車充電基礎設施等領域半導體不可或缺的基礎材料。雙方達成的這一協議意味著，為滿足日益增長的半導體需求，英飛凌給必不可少的SiC基材爭取到更多的回旋余地。 ? 該公司工業
2021-05-07 10:58:401576 極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
器件的特點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k?！ ∷c硅半導體材料
2019-01-11 13:42:03
更新換代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用，處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優越的物理特性，開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發現以來，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業主要進步發展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網等現代工業領域，在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料，可以顯著降低功率損耗并實現更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統的復雜性，從而降低了電源系統的整體架構。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
大功率適配器為了減小對電網的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現，強強聯手避免短板。創能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
，換向電感只能在DBC設計的限制范圍內得到改善。由此產生的換向電感約為 20nH，對于 6 組功率模塊，這允許在中低功率范圍內使用全 SiC 模塊。在全碳化硅中，MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
的發展趨勢，對 SiC 器件封裝技術進行歸納和展望。近20多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關注。與硅相比，碳化硅具有很多優點，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
的門檻變得越來越低，價格也在逐步下降，應用領域也在慢慢扭轉被海外品牌一統天下的局面。據統計，目前國內多家龍頭企業已開始嘗試與內資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當前國內品牌尚不具備競爭優勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
范圍-5V~-15V，客戶根據需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優先穩定正電壓，保證開通穩定?！ ?）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對開關電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491241 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用
2017-05-06 11:32:45
54 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 
近日Cree科銳宣布，其與意法半導體簽署了一份多年供貨協議，為意法半導體生產和供應其Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓。
2019-01-11 16:21:504432 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導體（NYSE: STM）簽署多年協議，將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-14 15:24:583929 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導體（NYSE: STM）簽署多年協議，將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-15 10:26:284098 Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作為公司長期增長戰略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC（碳化硅）產能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化
2019-05-14 10:24:443586 隨著汽車電子、工控等應用領域蓬勃發展，市場對碳化硅（SiC）的需求持續增長，國內外碳化硅企業陸續擴產，日前碳化硅大廠Cree（科銳）也宣布將投資10億美元擴大碳化硅產能。
2019-05-08 16:40:053968 2019年5月7日，美國北卡羅萊納州達勒姆訊 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作為公司長期增長戰略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC碳化硅產能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化200mm SiC碳化硅生產工廠和一座材料超級工廠。
2019-05-10 09:15:193496 第三代半導體材料碳化硅的發展在功率器件市場成為絕對的焦點。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續投入碳化硅器件的研發生產，并打入多個應用市場。日前，在英飛凌科技舉辦的媒體見面會上，該公司大中華區工業功率控制事業部副總裁于代輝和工業功率控制事業部總監馬國偉博士介紹了英飛凌碳化硅SiC市場的最新進展。
2019-07-02 16:33:216462 意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協議。
2020-01-17 09:07:481306 碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料。
2020-10-02 18:20:0012094 
碳化硅半導體 一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場強、三倍的帶隙和三倍的熱導率。在半導體材料中形成器件結構
2021-06-15 17:27:148208 
英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies（GTAT）已經簽署碳化硅（SiC）晶棒供貨協議，合同預期五年。
2020-11-13 11:48:48992 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導體從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405267 碳化硅正被用于多種電力應用。ROHM 與意法半導體之間的協議將增加其在行業中的廣泛采用。 汽車和工業市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復雜
2022-07-28 17:05:011905 
碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統效率的潛力。在太陽能行業，碳化硅逆變器優化在成本節約方面也發揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學電氣與計算機工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351385 【2022年9月19日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與高意集團 （納斯達克代碼：IIVI）簽署了一份多年期碳化硅（SiC）晶圓供應協議
2022-09-20 11:39:12593 
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF 解決方案的領先供應商 Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協議。
2022-11-09 10:53:29550 即將開展為期多年的碳化硅（SiC）半導體供應合作。英飛凌將預留產能，并在2025年至2030年間向Stellantis的一級Tier 1供應商提供CoolSiC?裸片。此次協議潛在的采購量和產能儲備
2022-12-27 10:30:58334 
碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，了解一下它的物理特性和特征。
2023-01-09 09:03:392346 
碳化硅技術龍頭企業 碳化硅市場格局 碳化硅產業鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環節，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據Yole數據顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據了90％的SiC
2023-02-02 15:02:543931 當地時間12日，英飛凌宣布，正在擴大與碳化硅（SiC）供應商合作，已與Resonac簽署一份新采購合作長單，補充并擴大了雙方2021年簽訂的合同。
2023-02-02 15:19:54230 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420972 碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都非常穩定。
2023-02-08 13:42:083925 
功率半導體碳化硅（SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率
2023-02-15 16:03:448 英飛凌科技持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協議。
2023-02-17 09:31:15198 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472091 介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結構，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細節等等。。。歡迎大家一起學習
2023-03-31 15:01:4817 意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51932 援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網消息： 【英飛凌公司正推動其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，并與中國碳化硅材料供應商北京天科合達半導體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協議，以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:06438 電氣化的強勁增長 除了產能投資外，兩家公司還將在進一步 優化主驅逆變器系統 方面達成合作 緯湃科技（Vitesco Technologies） 和 安森美（onsemi） 今天宣布了一項價值19億美元（17.5億歐元）的 碳化硅產品10年期供應協議 ，以實現緯湃科技在電氣化技術方面的提升。緯
2023-06-02 19:55:01348 
長達 10 年的供應協議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應規?；a的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導體功率器件產業轉型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應用生產新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:26292 協議。英飛凌將建設并保留向現代/起亞供應碳化硅及硅功率模塊和芯片的產能直至 2030 年?，F代/起亞將出資支持這一產能建設和產能儲備。 ? 英飛凌與現代汽車和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導體長期供貨協議 ? 現代汽車集團執行副總裁兼全球戰略辦公室（GSO）負責人 Heung Soo
2023-11-09 14:07:51177 
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
12 月 22 日消息，據意法半導體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。
2023-12-24 10:35:24564 2023年5月，英飛凌與天科合達簽訂了長期協議，以確保獲得更多而且具有競爭力的碳化硅材料供應。天科合達主要為英飛凌供6英寸的碳化硅襯底，同時還將提供8英寸碳化硅材料，助力英飛凌向8英寸SiC晶圓的過渡。
2024-01-11 16:38:33388 
英飛凌與韓國SK Siltron子企業SK Siltron CSS最近達成了一項重要協議。根據該協議，SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅（SiC）晶圓，以支持英飛凌在SiC半導體生產方面的需求。
2024-01-17 14:08:35228 ）與全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于今日宣布擴大并延伸現有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應協議（原先的協議簽定于 2018 年 2 月）。
2024-01-24 09:51:01240 英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發表聲明，延長并擴大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應合同。該合作內容還包含了一份多年的產能預留協議。
2024-01-24 14:26:31303 英飛凌科技（Infineon Technologies）與美國半導體制造商Wolfspeed近日宣布，雙方將擴大并延長現有的晶圓供應協議。這一協議的擴展將進一步加強英飛凌與Wolfspeed之間的合作關系，以滿足市場對碳化硅（SiC）晶圓產品日益增長的需求。
2024-01-24 17:19:52441 1月23日，山東有研硅半導體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業務合作協議》，該協議旨在充分發揮雙方各自優勢，創新業務合作模式，共同拓展碳化硅襯底片市場與客戶。
2024-01-29 14:36:57459 技術領域的領導者Wolfspeed（NYSE代碼：WOLF）近日宣布擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。經過此次擴展，雙方的合作又新增了一項多年期產能預訂協議。這不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩定性，還能幫助滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲
2024-01-30 14:19:1677 
英飛凌技術公司與美國北卡羅來納州達勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家專門生產碳化硅（SiC）材料和功率半導體器件的制造商 — 已經擴大并延長了他們的現有長期150毫米碳化硅（SiC）晶圓供應
2024-01-30 17:06:00180 
英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求，并提升英飛凌供應鏈的穩定性。
2024-01-31 17:31:14442 英飛凌科技與Wolfspeed宣布，將擴展并延長他們最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。經過這次擴展，雙方的合作新增了一項多年期產能預訂協議。這一合作不僅有助于提升英飛凌總體供應鏈的穩定性，還能滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統對碳化硅半導體產品日益增長的需求。
2024-02-02 10:35:33334 近日，國內領先的半導體企業芯動半導體與國際知名半導體供應商意法半導體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰略合作協議。這一協議的達成，標志著雙方在SiC功率模塊領域的合作邁出了堅實的一步，將共同推動SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應用。
2024-03-15 09:44:43100 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近期國內碳化硅襯底供應商陸續獲得海外大廠的訂單，4月底，天岳先進在2022年年報中披露去年公司與博世集團簽署了長期協議，公司將為博世供應碳化硅襯底產品
2023-05-06 01:20:002329 
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