氮化鎵功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克股票代碼： NVTS）正式宣布其發貨數量已超過四千萬顆，終端市場故障率為零。
2022-03-28 09:27:48
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半壁江山。在射頻器件領域，目前LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）、GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）三者占比相差不大，但據Yole development預測，至2025年，砷化鎵市場份額基本維持不變
2019-05-06 10:04:10
化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
的3.25eV和氮化鎵的3.4eV。而氧化鎵的擊穿場強理論上可以達到8eV/cm，是氮化鎵的2.5倍，是碳化硅的3倍多。從功率半導體特性來看，與前代半導體材料相比，氧化鎵材料具備更高的擊穿電場強度與更低的導通電
2023-03-15 11:09:59
，獲得華大半導體有限公司投資，創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現相比硅元器件更高的工作溫度，實現雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
點擊: 功率半導體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導體器件應用手冊功率半導體器件應用手冊——彎腳及焊接應注意的問題本文將向您介紹大家最關心的有關TSE功率半導體器件封裝的兩個問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前,我國已經成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向長期
2019-08-20 08:01:20
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發現鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經量產商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導體兩家供應商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的選擇。 生活更環保 為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力，甚至為該行業帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
工藝，以制造出可預測性能特性和故障率的可復制氮化鎵器件。相比之前的 MIMIC 和 MAFET 計劃，WBST計劃嚴重傾向于軍事應用，不計成本地追求所需性能，但是，隨著化合物半導體提供商不斷完善其生
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環保
為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會
2019-03-14 06:45:11
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
集成在一顆芯片中。合封的設計消除了寄生參數導致的干擾，并充分簡化了氮化鎵器件的應用門檻，像傳統集成MOS的控制器一樣應用，得到了很高的市場占有率。鈺泰半導體瞄準小功率氮化鎵合封應用的市場空白，推出
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
Higham表示：“一旦高功率射頻半導體產品攻破0.04美元/瓦難關，射頻能量市場將會迎來大量機會。在商用微波爐、汽車照明和點火、等離子照明燈等設備市場，射頻能量器件出貨量可能在數億規模，銷售額可達
2018-02-12 15:11:38
耗盡型半導體技術為碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）、硅基氮化鎵（GaN on Si）、砷化鎵（GaAs）射頻功率晶體管或模塊提供準確的柵極電壓和脈沖漏極電壓。射頻功率 - 硅雙極單元和模塊
2017-08-14 14:41:32
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
的優勢，近年來在功率器件市場大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術的應用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術的深入研究，我們逐漸發現了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導體技術。這就
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
功率半導體器件概述功率半導體器件基本概念功率半導體器件（Power Semiconductor Device）又稱電力電子器件（Power Electronic Device）。1940年貝爾實驗室
2019-02-26 17:04:37
Canaccord Genuity預計，到2025年，電動汽車解決方案中每臺汽車的半導體構成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
推廣應用和推廣碳中和”的政策。日本大坂大學的森勇介教授，一直在從事高品質的半導體研究，這一次，我們就氮化鎵的研發情況、研究成果對未來的應用前景產生的影響，森教授進行了訪談。目前，功率半導體的應用廣泛，其
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
行業標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規模生產、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產，可以大幅降低成本。第三代半導體的普及
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升級產品，導通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號2：AON6268絲印：6268屬性：分立半導體產品 - 晶體管封裝：DFN-8參數FET 類型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
主要代理國產品牌一些半導體器件：士蘭微:MCUMOSIPM數明：門級驅動，隔離非隔離驅動杰華特宇力：MCU3PAK :運放，ldo微盟:電源管理美浦森：MOS納芯微 ：隔離接口，驅動還有TI的一些物料 等等詳情請聯系***（同wx）
2021-09-06 09:21:21
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
電子元器件互聯網平臺的高速發展，可以為客戶提供一站式服務，很低的成本吸引和觸及需求多樣采購但量很小的客戶，如設計樣機采購，小批量生產采購，甚至創客研發產品的元器件采購等。因此半導體原廠與新興的電子
2018-08-15 14:56:50
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體（BiCMOS）和硅鍺異質結雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關注的其他設備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質結場效應晶體管（GaAn HFET）功率半導體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當前和未來軍事系統，如衛星和導彈。
2012-12-04 19:52:12
的測試，讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現場出現的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節問題，泰克與電源行業專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節系列直播課，氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
安森美半導體電源方案部（PSG）加速了擴展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅動器產品陣容，針對汽車應用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車認證的器件數現已超過4,000，是該行業中最大的供應商
2018-10-25 08:53:48
帶半導體，相比常規的硅材料，開關速度更快，具有更高的耐壓。在降低電阻的同時，還能提供更高的過電壓保護能力，防止過壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化鎵開關管取代兩顆串聯的硅MOS，氮化鎵低阻抗優勢可以
2023-02-21 16:13:41
；第五部分表示規格。具體規定見表 3.1 所示。2.日本常用半導體器件的型號命名標準 3.美國常用半導體器件的型號命名標準 4.常用的整流二極管型號及性能 5.硅高頻小功率三極管參數 6.部分國外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
功率放大器以及商用和工業系統的功率放大器。意法半導體與遠創達的合作協議將擴大意法半導體LDMOS產品的應用范圍。協議內容保密，不對外披露。 相關新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
2C1A二合一氮化鎵超極充、綠聯140W 2C1A氮化鎵充電器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、華為、三星等大品牌的產品使用，性能質量獲得客戶的高度認可。
輸出VBUS開關管均來自威兆半導體
2023-06-16 14:05:50
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。于是，GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導體，可承受更高的工作電壓，意味著其功率密度及可工作溫度更高，因而具有高功率
2019-07-05 04:20:06
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
群“芯”閃耀的半導體行業行業全接觸——電子技術與半導體行業 半導體半導體是指常溫下導電性介于導體和絕緣體之間的材料。主要的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵、硅鍺復合材料等。半導體器件可以通過結構和材料上
2008-09-23 15:43:09
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氧化物半導體（Si LDMOS，Lateral Double-diffused Metal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段
2019-04-13 22:28:48
半導體的應用層出不窮。包括氮化鎵和碳化硅的功率器件，未來也會發揮重要作用，這里面我就不多說了，“國家機密，以人民的名義”。（2）5G通訊硅材料作為通訊材料的老大哥，干到現在，真是有些干不動了，即便使出
2017-05-15 17:09:48
的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。 半導體的分類，按照其制造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類
2016-11-27 22:34:51
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯
氮化鎵作為第三代半導體器件，憑借其優異的性能，在PD快充領域得到了廣泛關注。作為國內領先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潛心研發
2021-11-12 11:53:21
了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
，共同開發氮化鎵功率器件。之后，兩家企業還與富達投資（Fidelity）一道，于2021年底向GaN Systems投資1.5億美元，推動公司的產品研發和市場推廣。另外，公司還與車規半導體重要原廠瑞薩
2023-03-03 16:48:40
會產生熱量。這些發熱限制了系統的性能。比如說，當你筆記本電腦的電源變熱時，其原因在于流經電路開關內的電子會產生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導體材料，它的發熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
納微半導體今日正式宣布，其出貨量創下最新紀錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現產品零故障。
2021-01-27 16:43:141758 氮化鎵(GaN)功率半導體技術和模塊式設計的進步，使得微波頻率的高功率連續波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 17:41:29446 于高功率、高速光電元件。例如，氮化鎵可用于紫光激光二極管，并且可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped Solid-state Laser)的情況下產生紫光(405nm)激光。
2023-09-13 16:41:45863
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