Nexperia針對要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管

合并PIN肖特基結(jié)構(gòu)可帶來更高的穩(wěn)健性和效率

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奈梅亨，2023年4月20日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650 V SiC肖特基二極管滿足工業(yè)級(jí)器件標(biāo)準(zhǔn)，可應(yīng)對高電壓和高電流應(yīng)用帶來的挑戰(zhàn)，包括開關(guān)模式電源、AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運(yùn)行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數(shù)據(jù)中心，配備采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二極管設(shè)計(jì)電源的數(shù)據(jù)中心將更加符合嚴(yán)格的能源效率標(biāo)準(zhǔn)。
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PSC1065K具備不受溫度影響的電容開關(guān)和零恢復(fù)性能，提供先進(jìn)的性能以及出色的品質(zhì)因數(shù)(QC x VF)。其突出的開關(guān)性能幾乎不受電流和開關(guān)速度變化的影響。PSC1065K的合并PIN肖特基(MPS)結(jié)構(gòu)還具備其他優(yōu)勢，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無需額外的保護(hù)電路。這些特性可顯著降低系統(tǒng)復(fù)雜性，使硬件設(shè)計(jì)人員能夠在耐用型高功率應(yīng)用中，以更小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)更高的效率。Nexperia作為一系列高質(zhì)量半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的供應(yīng)商，聲譽(yù)良好，值得設(shè)計(jì)人員信賴。
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這款SiC肖特基二極管采用真2引腳(R2P) TO-220-2通孔電源塑料封裝。其他封裝選項(xiàng)包括表面貼裝(DPAK R2P和D2PAK R2P)和采用真2引腳配置的通孔(TO-247-2)封裝，可在高達(dá)175°C的高壓應(yīng)用中增強(qiáng)可靠性。
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Nexperia SiC產(chǎn)品組高級(jí)總監(jiān)Katrin Feurle表示：“在當(dāng)前可用的解決方案中，我們提供的高性能SiC肖特基二極管表現(xiàn)優(yōu)異，對此我們倍感自豪。隨著人們的能源意識(shí)日漸增強(qiáng)，我們正致力于為市場帶來更多選擇和便利性，以滿足市場對高容量、高效率應(yīng)用顯著增加的需求。”
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Nexperia計(jì)劃不斷增加其SiC二極管產(chǎn)品組合，包括工作電壓為650 V和1200 V、電流范圍為6-20 A的和車規(guī)級(jí)器件。新款SiC二極管現(xiàn)可提供樣品，并于近日開始量產(chǎn)。
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如需進(jìn)一步了解Nexperia的新款650 V SiC肖特基二極管，請?jiān)L問：www.nexperia.cn/sic_diodes

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碳化硅(47294) 碳化硅(47294)
Nexperia(56570) Nexperia(56570)

1200V/10A碳化硅肖特基二極管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度

2020-03-13 13:42:49

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC

2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。　　　　關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品）　　650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型　　

2020-09-24 16:22:14

二極管常見問題15答。申請加精。絕對有用。

電流值往往可達(dá)幾百。　　4、什么是二極管的正向?qū)▔航?　　二極管在正向?qū)ǎ鬟^電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅

2012-07-15 15:28:24

二極管適合并聯(lián)么？

?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r(shí)候，流過電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書下載：

2021-03-22 17:25:26

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因?yàn)樗軌蚰褪茌^高的電壓。　　除此以外的器件參數(shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2。　　由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`

2019-01-11 13:42:03

碳化硅二極管選型表

反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快

2019-10-24 14:21:23

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電

2023-04-11 15:29:18

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些？

200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在

2020-06-28 17:30:27

碳化硅如何改進(jìn)開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)？

　　在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇。　　在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V

2023-02-23 17:11:32

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無

2019-07-04 04:20:22

碳化硅混合分立器件 IGBT

650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個(gè)50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān) IGBT 和一個(gè) CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價(jià)比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓?fù)?/div>

2021-03-29 11:00:47

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

明顯優(yōu)勢，可以用來做成高耐壓的肖特基二極管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二極管在消費(fèi)、工業(yè)、汽車、軍工等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。　　03　　碳化硅肖特基二極管結(jié)構(gòu)簡析　　肖特基二極管：以金屬為陽極，以N

2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

。　　基本半導(dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達(dá)到國際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器

2023-02-28 16:34:16

B1D02065K兼容代替SCS302AH IDH02G65C5 650V基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管

Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減少對散熱器

2021-11-09 16:36:57

Basic Semi代理商 B1D02065E 650V2A6.8nC 碳化硅肖特基二極管附上同系列選型參數(shù)表

Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開關(guān)損耗，極低反向電流，無反向恢復(fù)電流，低電容電荷，提高效率，降低解決方案

2021-10-27 15:00:42

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管

2016-11-04 15:50:11

STPSC4H065B代替品 B1D04065E 650V4A12nC 碳化硅肖特基二極管新能源電動(dòng)汽車解決方案

小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復(fù)電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上

2021-11-06 09:26:20

Si與SiC肖特基二極管應(yīng)用對比優(yōu)勢

阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位。　　源于硅基的肖特基二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力

2019-01-02 13:57:40

了解功率二極管，這15個(gè)知識(shí)點(diǎn)你必須知道

越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。　　5.什么是二極管的反向漏電流？　　二極管在反向截止的時(shí)候，并不是完全理想的截止。在承受反壓得時(shí)候，會(huì)有些微小的電流從

2017-05-22 14:07:53

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？

2021-06-18 08:32:43

介紹二極管的反向恢復(fù)時(shí)間和碳化硅二極管

是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不

2023-02-15 14:24:47

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅

2021-09-23 15:02:11

低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度

和無源元件，使整體系統(tǒng)縮小50％以上，從而大大節(jié)省整體元件和制造成本。欲了解更多信息，請查閱安森美半導(dǎo)體最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列的新聞稿。

2018-10-29 08:51:19

關(guān)于功率二極管的一些疑問大掃盲

幾百A。4. 什么是二極管的正向?qū)▔航?二極管在正向?qū)ǎ鬟^電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高

2014-04-26 13:42:10

關(guān)于功率二極管的一些問題，你知道嗎？

。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。　　5. 什么是二極管的反向漏電流?　　二極管在反向截止的時(shí)候，并不是完全理想的截止。在承受反壓得時(shí)候，會(huì)有些微小的電流從陰極漏到陽極。這個(gè)電流通常很小，而且反

2016-11-14 20:04:40

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管

2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣？

和 500A，帶或不帶碳化硅肖特基續(xù)流 1200V 二極管。　　另一個(gè)例子是MiniSKiiP，這是一種無底板電源模塊，使用賽米控的SPRiNG系統(tǒng)將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設(shè)計(jì)固定

2023-02-20 16:29:54

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

并聯(lián)二極管的特性參數(shù)對比　　如圖13所示，混合碳化硅分立器件的反向恢復(fù)時(shí)間Trr，反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)損耗Err明顯降低。　　05　　總結(jié)　　基本半導(dǎo)體主要推出了650V 50A和650V

2023-02-28 16:48:24

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

MOSFET可以得到充分利用。此外，碳化硅MOSFET也可應(yīng)用更高的開關(guān)頻率，因而可以實(shí)現(xiàn)體積更小，更加緊湊的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。　　沒有免費(fèi)的午餐　　當(dāng)然，世上是沒有免費(fèi)午餐的，在內(nèi)部體二極管和寄生參數(shù)方面

2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

電路設(shè)計(jì)，利用傳統(tǒng)Ｈ橋電路設(shè)計(jì)高輸入電壓（大于600V）隔離變換電路，而不需要三電平等復(fù)雜電路，簡化電路和驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。同時(shí)每個(gè)開關(guān)狀態(tài)導(dǎo)通損耗降低；碳化硅體二極管反向恢復(fù)時(shí)間和電荷遠(yuǎn)小于650V硅

2016-08-05 14:32:43

基本半導(dǎo)體力內(nèi)絕緣型碳化硅肖特基二極管

，減少了不必要熱阻的增加。　　05　　總結(jié)　　基本半導(dǎo)體推出的內(nèi)絕緣型TO-220封裝碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品，從優(yōu)化安裝工藝、提升產(chǎn)品質(zhì)量、減少熱阻等方面很好地解決了絕緣和導(dǎo)熱痛點(diǎn)。原作者：基本半導(dǎo)體

2023-02-28 17:06:57

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

》 Gen3　　02　　電源效率對比　　碳化硅肖特基二極管應(yīng)用在1500W電源的PFC電路中（位置如下圖）。　　測試條件：　　輸入電壓 100V、220V　　輸出電壓 48V 輸出電流30A　　圖（3

2023-02-28 17:13:35

如何區(qū)分硅二極管和鍺二極管？

、反向恢復(fù)時(shí)間短的半導(dǎo)體二極管）主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管，也稱為熱載流二極管，通過

2023-02-07 15:59:32

淺析基于碳化硅MOSFET的諧振LLC和移相電路在新能源汽車的應(yīng)用

每個(gè)開關(guān)管都采用兩顆碳化硅MOSFET并聯(lián)，輸出側(cè)諧振LLC采用650V碳化硅二極管，移相全橋采用1200V碳化硅二極管。兩方案橋式上下管死區(qū)時(shí)間設(shè)定為250ns。20KW諧振LLC輸出最大電流為35A

2016-08-25 14:39:53

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

MOSFET 的單通道驅(qū)動(dòng)核，可以驅(qū)動(dòng)目前市面上大部分 1700V 以內(nèi)的單管碳化硅 MOSFET，該驅(qū)動(dòng)核設(shè)計(jì)緊湊，通用性強(qiáng)。　　3、電源模塊　　Q15P2XXYYD 是青銅劍科技自主研發(fā)的單通道

2023-02-27 16:03:36

用于PFC的碳化硅MOSFET介紹

碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC

2023-02-22 16:34:53

肖特基二極管的目前趨勢

，大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導(dǎo)體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓，工作電流較低時(shí)甚至低于0.1V。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電壓約為1V

2017-04-19 16:33:24

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)

2023-02-20 15:15:50

部分關(guān)于功率二極管相關(guān)知識(shí)

什么是二極管的正向?qū)▔航担?b class="flag-6" style="color: red">二極管在正向?qū)ǎ鬟^電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。5.

2020-09-18 17:00:12

C3D02065E分立碳化硅肖特基二極管

C3D02065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 10:42:53

C3D03065E分立碳化硅肖特基二極管

2022-05-29 10:53:44

C3D04065E分立碳化硅肖特基二極管

C3D04065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 18:32:33

C3D04065A分立碳化硅肖特基二極管

C3D04065A為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 18:40:10

C6D04065E分立碳化硅肖特基二極管

C6D04065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 18:47:04

C6D04065A分立碳化硅肖特基二極管

C6D04065A為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 18:51:26

C6D06065Q分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065Q為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。描述具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度

2022-05-29 19:27:15

C6D06065G分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案

2022-05-29 19:36:12

C3D06065E分立碳化硅肖特基二極管

C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案

2022-05-29 19:45:27

C3D06065A分立碳化硅肖特基二極管

C3D06065A為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 19:57:02

C6D06065E分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 20:05:08

C6D06065A分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065A為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 20:09:11

C3D06065I分立碳化硅肖特基二極管

C3D06065I為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 20:28:03

C6D08065Q分立碳化硅肖特基二極管

C6D08065Q為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度

2022-05-29 20:36:06

C6D08065G分立碳化硅肖特基二極管

C6D08065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度

2022-05-29 20:42:44

E3D08065G分立碳化硅肖特基二極管

E3D08065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 20:49:50

C3D08065E分立碳化硅肖特基二極管

C3D08065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 20:55:17

C3D08065A分立碳化硅肖特基二極管

C3D08065A為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 21:00:08

C6D08065E分立碳化硅肖特基二極管

C6D08065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 21:06:02

C3D08065I分立碳化硅肖特基二極管

C3D08065I為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-29 21:15:21

C6D10065Q分立碳化硅肖特基二極管

C6D10065Q是650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度

2022-05-31 20:02:07

C6D10065G分立碳化硅肖特基二極管

C6D10065G是650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度

2022-05-31 20:16:37

C3D10065E分立碳化硅肖特基二極管

C3D10065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-31 20:25:46

C6D10065E分立碳化硅肖特基二極管

C6D10065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-31 20:40:06

C6D10065A分立碳化硅肖特基二極管

C6D10065A為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-05-31 20:51:15

C3D10065I分立碳化硅肖特基二極管

C3D10065I為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-06-01 19:13:55

C3D12065A分立碳化硅肖特基二極管

C3D12065A為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-06-01 19:33:53

C3D16065D分立碳化硅肖特基二極管

C3D16065D為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-06-01 21:45:11

C6D16065D分立碳化硅肖特基二極管

C6D16065D為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-06-01 21:57:47

C3D16065A分立碳化硅肖特基二極管

C3D16065A為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-06-01 22:21:25

C3D20065D分立碳化硅肖特基二極管

C3D20065D為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-06-01 22:26:03

C6D20065D分立碳化硅肖特基二極管

C6D20065D為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-06-01 22:37:50

E3D20065D分立碳化硅肖特基二極管

E3D20065D為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-06-01 22:43:01

C3D30065D分立碳化硅肖特基二極管

C3D30065D為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-06-02 18:01:28

E3D30065D分立碳化硅肖特基二極管

E3D30065D為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括服務(wù)器電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能

2022-06-02 18:07:06

C4D08120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-02 18:48:49

CPW3-0600-S002B裸片碳化硅肖特基二極管

3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有極快的開關(guān)速度；零正反向恢復(fù)；和高頻操作。針對開關(guān)模式電源 (SMPS)、PFC 或 DC/DC

2022-06-05 11:50:51

CPW3-0600-S003B裸片碳化硅肖特基二極管

2022-06-05 16:59:38

CPW3-0600-S004B裸片碳化硅肖特基二極管

2022-06-05 17:04:50

CPW2-0600-S006B裸片碳化硅肖特基二極管

2022-06-05 17:13:08

CPW2-0600-S008B裸片碳化硅肖特基二極管

2022-06-05 17:20:01

CPW2-0600-S010B裸片碳化硅肖特基二極管

2022-06-05 17:26:29

CPW3-0650-S004B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW3-0650-S004B是Wolfspeed的650 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有

2022-06-07 17:23:11

CPW2-0650-S008B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW2-0650-S008B是Wolfspeed的650 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 2 代。Wolfspeed 的第 3 代系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有

2022-06-07 17:37:39

CPW2-0650-S012B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW2-0650-S012B是Wolfspeed的650 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 2 代。Wolfspeed 的第 3 代系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有

2022-06-07 18:08:01

MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 MSM06065G1 品牌：美浦森封裝：DFN5

2023-07-05 15:50:06

MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1 品牌：美浦森封裝：DFN5*6

2023-07-05 15:54:11

G2S06505A_650V_5A碳化硅肖特基功率二極管

G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220

2016-06-17 15:42:45

美國微芯科技宣布推出最新碳化硅肖特基勢壘二極管

）今日宣布推出最新通過認(rèn)證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）功率器件，為電動(dòng)汽車（EV）系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。

2020-10-29 15:24:34

2317

碳化硅二極管是什么意思碳化硅二極管如何測量好壞

　　碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號(hào)稱反向恢復(fù)時(shí)間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視，并在智能

2023-02-10 17:45:17

1733

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅

2023-02-21 10:04:11

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SiC碳化硅二極管、SiC碳化硅肖特基勢壘二極管常用規(guī)格介紹

SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動(dòng)工具、消費(fèi)類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號(hào)為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片

2023-02-21 10:12:24

1681

SiC碳化硅二極管功率器件有哪些封裝？

我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件

2023-02-21 13:38:16

1795

Nexperia(安世半導(dǎo)體)針對要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650

2023-04-20 15:55:36

1320

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動(dòng)汽車等。

2023-06-02 14:10:32

747

針對要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的 650 V 碳化硅二極管

2023-09-22 09:25:32

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Nexperia針對要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管

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