該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統。
2020-10-20 15:18:00
1557 東芝電子宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”。
2022-01-26 13:35:212210 
---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的 [1] 第3代碳化硅MOSFET芯片 ，用于支持工業設備應用 。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產品于今日開始批量
2023-09-04 15:13:401134 
。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
進一步實現小型化。開關損耗大幅降低，可進一步提升大功率應用的效率ROHM利用獨有的內部結構并優化散熱設計開發出新型封裝，從而開發并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產品。由此，全SiC功率模塊在工業
2018-12-04 10:20:43
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓。 除此以外的器件參數均相當于或優于硅肖特基二極管。詳見表2。 由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
應用，處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導通會造成導通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結構，但發現用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
）新的650V碳化硅器件有助于在幾個方面降低成本。與硅基650V MOSFET相比，碳化硅器件的導通損耗降低了50%，開關損耗降低了75%，而功率密度提高了三倍，因此，不僅可以實現更高效率，而且還可以降低磁性
2023-02-27 14:28:47
反向恢復電流，其關斷過程很快，開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
92%的開關損耗，還能讓設備的冷卻機構進一步簡化，設備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導體LED照明領域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優勢，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。 在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
開關電源小型化，并降低產品噪音。 2、碳化硅肖特基二極管的正向特性 碳化硅肖特基二極管的開啟導通電壓比硅快速恢復二極管較低，如果要降低VF值，需要減薄肖特基勢壘的高度，但這會使器件反向偏壓時的漏電
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優越的物理特性，開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發現以來，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
領域。另外，這次ROHM還帶來了有助于工業設備的省電化、效率化、小型化的內置SiC-MOSFET的AC/DC轉換器控制IC"BM2SCQ121NT"。其采用低噪聲、高效率的低準諧振
2019-04-12 05:03:38
領域。另外，這次ROHM還帶來了有助于工業設備的省電化、效率化、小型化的內置SiC-MOSFET的AC/DC轉換器控制IC"BM2SCQ121NT"。其采用低噪聲、高效率的低準諧振
2019-07-11 04:17:44
領域。另外，這次ROHM還帶來了有助于工業設備的省電化、效率化、小型化的內置SiC-MOSFET的AC/DC轉換器控制IC"BM2SCQ121NT"。其采用低噪聲、高效率的低準諧振
2019-07-15 04:20:14
，ROHM還會面向要求更高耐壓的工業設備開發100V和150V耐壓產品，以擴大本系列產品的陣容，通過降低各種應用的功耗和實現其小型化來助力解決環境保護等社會問題。新產品特點1、實現業界超低導通電阻在
2021-07-14 15:17:34
首先，重新整理一下SJ MOSFET做出貢獻的課題。第一個是效率改善，第二個是小型化－ 那么先從效率開始談。為什么使用SJ-MOSFET可以改善效率？先稍微介紹一下SJ MOSFET。傳統型
2019-04-29 01:41:22
%，這使得tgf2023-2-05適合高效率的應用。產品型號:TGF2023-2-05產品名稱：碳化硅晶體管TGF2023-2-05產品特性頻率范圍：直流至18GHz43 dBm的名義PSAT在3
2018-11-15 11:52:42
69.5%，這使得tgf2023-2-10適合高效率的應用。產品型號:TGF2023-2-10產品名稱：碳化硅晶體管TGF2023-2-10產品特性頻率范圍：直流至14千兆赫47.4 dBm的名義
2018-06-12 10:22:42
TGF2954碳化硅晶體管產品介紹TGF2954報價TGF2954代理TGF2954TGF2954現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
對比 我們采用雙脈沖的方法來比較一下基本半導體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）在相同條件下
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統中的功率器件，可以降低驅動器損耗，提高開關頻率，降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
實現量產和穩定銷售，主要應用于新能源汽車、充電樁、工業電源、光伏逆變、通訊電源等大功率、高頻、高效率領域。
附：華潤微電子SiC SBD產品列表
附：華潤微電子SiC SBD料號列舉
650V SiC
2023-10-07 10:12:26
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應用研發帶來了設計挑戰，因而業界對于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。碳化硅MOSFET
2022-03-29 10:58:06
系統能做得越小巧，則電動車的電池續航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應用產品領域逐漸擴散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
，在這些環境中，傳統的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
電壓，從而成為可通過以往的分立結構很難實現的高精度來控制DC風扇電機旋轉速度的業界首款＊電源IC。集成為IC后使控制進一步優化，不僅效率大幅提升，還可減少部件數量、提高開關速度，實現外圍元器件的小型化
2018-12-04 10:18:22
的整體系統尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時降低功率損耗。創能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
0.5Ω，內部柵極電阻為0.5Ω。 功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標稱電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現出顯著較低的開關損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
和分析，為滿足不同的市場需求，基本半導體為圖騰柱無橋PFC這一硬開關拓撲設計了能同時兼顧效率與性價比的混合碳化硅分立器件，同時也提供了更高效率的全碳化硅 MOSFET方案。 04 對比測試 這里
2023-02-28 16:48:24
的基本物理學特性仍然在阻礙著其性能的進一步提高，這限制了創新且又簡單的拓撲結構應用，因而也阻礙了可持續綠色高效率的拓撲發展。本文討論的碳化硅MOSFET技術在應用中同樣也存在挑戰，并非所有碳化硅
2023-03-14 14:05:02
）。給出了本設計主要參數指標，其中輸出最大電流為35A,輸出電壓范圍在300V-550之間。工作頻率范圍在150KHZ-400KHZ之間。目標最高效率超過98.4%，功率密度達到60瓦/立方英寸。碳化硅
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
，工作結溫可達175℃，與傳統硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊，從而幫助客戶有效縮短產品開發周期，提高工作效率。 產品特點 溝槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一塊 DBC 板上，使半橋模塊面積僅為 TO-247 單管大小，極大地減小了驅動回路和功率回路的寄生電感參數。阿肯色大學則針對碳化硅芯片開發了相關的 SiC CMOS 驅動
2023-02-22 16:06:08
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-03-12 03:43:18
要求很嚴苛的車載設備上。印象中的Sic應該運用于大功率的特殊應用上的，但是實際上，它卻是在我們身邊的應用中對節能和小型化貢獻巨大的功率元器件。③“數說”碳化硅碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。SiC
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
)和1200V 碳化硅隔離全橋DC/DC方案(下圖)因此碳化硅MOSFET在軟開關橋式高輸入電壓隔離DC/DC電路中優勢明顯，簡化拓撲，實現高效和高功率密度。特別是它的超快體二極管特性使無論諧振LLC
2016-08-25 14:39:53
MOSFET 的單通道驅動核，可以驅動目前市面上大部分 1700V 以內的單管碳化硅 MOSFET， 該驅動核設計緊湊，通用性強。 3、電源模塊 Q15P2XXYYD 是青銅劍科技自主研發的單通道
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
）和發射極可關斷晶閘管（ETO）等。1、SiC 肖特基二極管肖特基二極管最顯著的特點是反向恢復時間短，但是就傳統的肖特基二極管它的耐壓一般不超過200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
sch2200ax是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓?低導通電阻?高速開關、實現整機的小型化和節能化。
2011-11-20 15:39:371348 
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續引領高效率電子電力模組變革，宣布推出業界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。
2011-12-19 09:03:161682 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 
全球碳化硅（SiC）半導體領先企業科銳與德國采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布達成戰略合作，開發業界領先的高效率電傳動設備。
2019-11-06 15:01:54745 采用新型碳化硅結型場效應功率晶體管的光伏逆變器與采用硅IGBT模塊的傳統光伏逆變器相比，具有開關頻率高、體積小、效率高的特點。本文對橋式碳化硅模塊的驅動，以及以碳化硅器件組成的單相光伏逆變器的開關
2020-04-14 08:00:00
2 東芝面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產品將于2021年5月投入量產。
2021-02-25 14:14:40951 
東京——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（簡稱“東芝”）今日宣布了一種可提高碳化硅（SiC）MOSFET[1]可靠性的新
2021-03-15 11:30:262087 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 “雙碳時代”已緩緩拉開帷幕，各行各業都將面臨減排挑戰。在電動車領域中，如何開發出小型化、更低功耗、更高性能的電控系統已成為產業鏈上下共同探索的方向。羅姆半導體集團順應時代發展潮流，開發出新型碳化硅
2022-03-19 11:12:212089 Agarwal 的播客中，我們將發現 SiC 的好處和應用。 討論的文章： 改進碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351385 SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環境中，優于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業設備
2022-11-06 21:14:51957 相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。
2022-12-01 10:23:191015 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
和碳化硅MOSFET。第三代半導體涵蓋SiC碳化硅二極管，SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊，SiC碳化硅裸芯片這四類
2023-02-21 10:16:472091 碳化硅（SiC）技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統，SiC MOSFET 就能為許多行業的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環境中運行的應用。
2023-05-19 11:27:34548 碳化硅(SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統，SiC MOSFET就能為許多行業的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環境下運行的應用。
2023-07-21 11:42:14624 碳化硅（SiC）技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統，SiC MOSFET就能為許多行業的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環境中運行的應用。
2023-08-16 10:28:21658 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產線，開發了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出業界首款 [1] 2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07256 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:32738 
點擊 “東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半導體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿電場和高功率密度、高電導率、高熱導率等優越的物理性能，應用前景廣闊。 目前，東芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02269 
2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯合開發高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。
2023-11-25 16:50:53451 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:29502 
共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412 
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