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Toshiba推車用低導通電阻功率MOSFET
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超級結MOSFET的優勢
MOSFET的結構高壓的功率MOSFET的外延層對總的導通電阻起主導作用，要想保證高壓的功率MOSFET具有足夠的擊穿電壓，同時，降低導通電阻，最直觀的方法就是：在器件關斷時，讓低摻雜的外延層保證要求的耐壓
2018-10-17 16:43:26
這種高密度工藝特別適合于 最小化導通電阻
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
降低高壓MOSFET導通電阻的原理與方法
不能降低高壓MOSFET的導通電阻，所剩的思路就是如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區域和導電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除 導通時低摻雜的高耐壓外延層對導通電阻只能起增大作用外并無其他
2023-02-27 11:52:38
高耐壓超級結MOSFET的種類與特征
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開關速度快”的特征，但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發了EN系列。該系列產品融合了
2018-12-03 14:27:05
為實現高壓開關，功率MOSFET應如何串聯連接
因為功率MOSFET的導通電阻和耐壓有以下的關系，即Rds(on)∞BVds2.4～2.7所在總芯片面積相等的情況下，如把幾個低壓MOSFET串聯連接，比1個高耐壓MOSFET的導通電阻低。
2010-05-25 08:16:05
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170功率MOSFET(PowerMOSFET)的基本知識
自1976年開發出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術的發展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電壓可達1000V；低導通電阻MOSFET其阻值僅lOmΩ；工作頻率范圍從直流到達數
2010-06-07 08:22:4840
40Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MO
Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090
1090Toshiba推出低功率柵極驅動光耦合器
Toshiba推出低功率柵極驅動光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設計用來驅動需要輸出電流高達±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅動器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696
696導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912
4912Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181448
1448IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746
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瑞薩電子推出新款低導通電阻MOSFET產品
瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10939
939SiC MOSFET是具有低導通電阻和緊湊的芯片
安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:403728
3728ROHM開發出業界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET
對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰。
2020-06-22 15:54:12771
771
降低高壓MOSFET導通電阻的原理與方法
在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之
2022-03-17 09:35:332873
2873東芝開發帶嵌入式肖特基勢壘二極管的低導通電阻高可靠性SiC MOSFET
)(統稱“東芝”)已經開發了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現低導通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531070
1070資料下載 | 低導通電阻 Nch 功率MOSFET（銅夾片型）產品參考資料
。“導通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數，但對于普通的MOSFET而言，由于導通電阻與芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471
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Toshiba推出小巧輕薄型共漏極MOSFET，具有極低導通電阻，適合快速充電設備
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，這是一款額定電流為20A的12V
2023-05-19 10:20:07719
719平面柵和溝槽柵的MOSFET的導通電阻構成
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021461
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Toshiba推出適用于USB設備和電池組保護的30V N溝道共漏MOSFET
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22320
320昕感科技推出超低導通電阻的SiC MOSFET器件
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316
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工商網監
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