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靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環(huán)境會帶來破壞性的后果。
它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補金屬氧化物半
導體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，
金屬氧化物半導體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄，MOS 管
能承受的電流和電壓也越來越小，因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片
ESD 保護結構的設計來進行考慮。
2 ESD 的測試方法
ESD 模型常見的有三種，人體模型（HBM ，Human Body Model)、充電器件模型
(CDM，Charge Device Model)和機器模型(MM，Machine Mode)，其中以人體模型最
為通行。一般的商用芯片，要求能夠通過2kV 靜電電壓的HBM 檢測。對于HBM 放電，
其電流可在幾百納秒內達到幾安培，足以損壞芯片內部的電路。
它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補金屬氧化物半
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金屬氧化物半導體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄，MOS 管
能承受的電流和電壓也越來越小，因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片
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2 ESD 的測試方法
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(CDM，Charge Device Model)和機器模型(MM，Machine Mode)，其中以人體模型最
為通行。一般的商用芯片，要求能夠通過2kV 靜電電壓的HBM 檢測。對于HBM 放電，
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