LED芯片在使用過程中經常遇到那些問題呢？讓我們一起解讀下文吧。

　　1.正向電壓降低，暗光

　　A：一種是電極與發光材料為歐姆接觸，但接觸電阻大，主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。

　　B：一種是電極與材料為非歐姆接觸，主要發生在芯片電極制備過程中蒸發第一層電極時的擠壓印或夾印，分布位置。

　　另外封裝過程中也可能造成正向壓降低，主要原因有銀膠固化不充分，支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩定。 正向壓降低的芯片在固定電壓測試時，通過芯片的電流小，從而表現暗點，還有一種暗光現象是芯片本身發光效率低，正向壓降正常。

　　2.難壓焊：（主要有打不粘，電極脫落，打穿電極）

　　A：打不粘：主要因為電極表面氧化或有膠

　　B：有與發光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢，其中以加厚層脫落為主。

　　C：打穿電極：通常與芯片材料有關，材料脆且強度不高的材料易打穿電極，一般GAALAS材料（如高紅，紅外芯片）較GAP材料易打穿電極，

　　D：壓焊調試應從焊接溫度，超聲波功率，超聲時間，壓力，金球大小，支架定位等進行調整。

　　3.發光顏色差異：

　　A：同一張芯片發光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題，ALGAINP四元素材料采用量子結構很薄，生長是很難保證各區域組分一致。（組分決定禁帶寬度，禁帶寬度決定波長）。

　　B：GAP黃綠芯片，發光波長不會有很大偏差，但是由于人眼對這個波段顏色敏感，很容易查出偏黃，偏綠。由于波長是外延片材料決定的，區域越小，出現顏色偏差概念越小，故在M/T作業中有鄰近選取法。

　　C：GAP紅色芯片有的發光顏色是偏橙黃 色，這是由于其發光機理為間接躍進。受雜質濃度影響，電流密度加大時，易產生雜質能級偏移和發光飽和，發光是開始變為橙黃色。

　　4.閘流體效應：

　　A：是發光二極管在正常電壓下無法導通，當電壓加高到一定程度，電流產生突變。