常用三星單片機(jī)燒寫(xiě)電壓設(shè)置參考表

燒寫(xiě)電壓說(shuō)明:
Vdd 電壓指燒寫(xiě)時(shí)加載到芯片Vdd 端子的邏輯電壓,Vpp 電壓指燒寫(xiě)
時(shí)加載到芯片Vpp(Test)端子的編程電壓, Vpp=12V 是編程器的默認(rèn)
燒寫(xiě)電壓,無(wú)須特別設(shè)置. 由于編程器的默認(rèn)輸出Vpp 電壓均為12V,
因此在燒寫(xiě)Vpp=3.3V/5.0V 的芯片時(shí),需要對(duì)燒寫(xiě)轉(zhuǎn)換適配器作以下
改動(dòng):
將燒寫(xiě)器燒寫(xiě)座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在適配器上將Vdd
端子直接連接Vpp 端即可.
當(dāng)用戶采用在PCB板上燒寫(xiě)方式時(shí),建議最好能在PCB芯片端的Vpp
腳并接一個(gè)104 的電容入地,可有效保護(hù)在燒寫(xiě)電壓加載時(shí)板子電路
共同作用產(chǎn)生的瞬間過(guò)壓脈沖不會(huì)輸入到Vpp 腳而造成Vpp 擊穿.
S3F84K4 燒寫(xiě)特別說(shuō)明,由于三星半導(dǎo)體DATA SHEET 要求在對(duì)該芯
片進(jìn)行燒寫(xiě)時(shí),須在Vpp 腳加接一個(gè)101 的電容到地,因此在使用我站
各款燒寫(xiě)器燒寫(xiě)84K4 時(shí),須將燒寫(xiě)器主板上的Vpp 端原來(lái)并接的
10uf/50V-電解電容和104 電容去掉,另行并接一個(gè)101 電容入地即可.
不過(guò),據(jù)本人特別測(cè)試結(jié)果,其實(shí)不做以上處理對(duì)燒寫(xiě)過(guò)程沒(méi)有任何影
響, 估計(jì)可能是三星半導(dǎo)體對(duì)芯片有做過(guò)改版,老版本的84K4 才會(huì)有
以上特別要求,新版本是沒(méi)有這個(gè)要求的.