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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>IC datasheet pdf>TK160F10N1L N溝道MOSFET英文手冊

      TK160F10N1L N溝道MOSFET英文手冊

      2024-08-31 | pdf | 0.47 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      TK160F10N1L是一款N溝道MOSFET，采用了東芝最新的U-MOS-H技術(shù)。這種技術(shù)使得該器件在低導(dǎo)通電阻和高電流能力之間達(dá)到了一個(gè)出色的平衡，從而提高了效率和功率密度。這款器件最早于2016年開始商業(yè)化生產(chǎn)，并被廣泛應(yīng)用于各種高要求的領(lǐng)域，如汽車電子、開關(guān)穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動器。

      性能亮點(diǎn)

      1. 低導(dǎo)通電阻：TK160F10N1L的典型導(dǎo)通電阻為2.0毫歐（在VGS=10V條件下），這種超低的導(dǎo)通電阻可以顯著降低功率損耗，從而提升系統(tǒng)的整體效率，尤其是在高電流應(yīng)用中更為突出。
      2. 高電流能力：該器件的最大連續(xù)漏極電流可達(dá)160A，脈沖漏極電流甚至可達(dá)到480A。這使得TK160F10N1L能夠應(yīng)對大電流瞬態(tài)需求，同時(shí)保持穩(wěn)定的性能，適用于要求苛刻的電力電子應(yīng)用。
      3. AEC-Q101認(rèn)證：作為一款通過AEC-Q101認(rèn)證的MOSFET，TK160F10N1L在汽車電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該認(rèn)證確保了器件在極端環(huán)境下的可靠性和耐久性，適合應(yīng)用于需要高可靠性的汽車系統(tǒng)中。
      4. 低漏電流：其漏極源極截止電流最大僅為10微安（VDS=100V），這意味著在待機(jī)模式下，器件的功耗極低，有助于延長電池壽命和提高系統(tǒng)效率。
      5. 增強(qiáng)模式設(shè)計(jì)：TK160F10N1L的門極閾值電壓為2.5V到3.5V，這種設(shè)計(jì)確保了在低電壓下的穩(wěn)定開關(guān)操作，適合各種低壓控制應(yīng)用。
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