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      電子發燒友網>電子資料下載>IC datasheet pdf>Toshiba東芝TPN3R704PL MOSFET硅N溝道MOS產品規格書

      Toshiba東芝TPN3R704PL MOSFET硅N溝道MOS產品規格書

      2024-09-14 | pdf | 0.47 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      TPH3R704PC MOSFET 提供了一系列優異的特性，這些特性使其具備高效和可靠的性能：

      高速開關： 該MOSFET專為高速開關應用而設計，非常適合需要快速開關過渡的電路。其快速開關能力有助于最大限度地減少功耗，這對于對電源敏感的應用（如DC-DC轉換器）至關重要。

      低漏源導通電阻 (RDS(ON))： TPH3R704PC 的典型導通電阻僅為2.9 m?（VGS = 10V）。較低的電阻意味著在導通期間能量損失更少，使得該MOSFET在電源敏感型應用中表現出色。低導通電阻是設計高效電源管理系統時的一個關鍵性能指標。

      低輸出和柵極電荷： TPH3R704PC 的典型輸出電荷 (Qoss) 為28 nC，柵極開關電荷 (QSW) 為14 nC。這確保了在開關過程中最小的延遲和能量損失。低柵極電荷允許較低的驅動功耗，這在節能設計中非常重要。

      高漏極電流： 該MOSFET能夠處理高達82A的連續漏極電流（Tc = 25°C），使其適用于高電流應用，如電機驅動器和高效DC-DC轉換器。高電流能力確保了在嚴苛環境下的可靠性能。

      增強型模式工作： TPH3R704PC 在增強模式下工作，其柵極閾值電壓 (Vth) 范圍為1.4V至2.4V。這一范圍確保了穩定的操作，當未達到足夠高的電壓時，MOSFET保持關閉狀態，從而減少泄漏和待機時的功耗。

      熱管理： 該器件具有優異的熱特性，其通道到殼體的熱阻僅為1.66°C/W，確保在操作過程中高效散熱。良好的熱性能對于高功率應用中的長期可靠性至關重要。

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