資料介紹
Altera于2008年第二季度推出Stratix? IV和HardCopy? IV器件系列標(biāo)志著世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一40-nm ASIC 無風(fēng)險(xiǎn)移植途徑的誕生。Altera 通過三年周密的規(guī)劃和開發(fā),并與代工線合作伙伴臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司(TSMC) 協(xié)作,最終獲得成功,交付定制邏輯器件展示了無可爭議的產(chǎn)品領(lǐng)先優(yōu)勢。表1 所示為Altera 開發(fā)世界上首款40-nm FPGA 的過程。
40-nm 工藝節(jié)點(diǎn)非常重要,它為Altera 在性能最好、密度最大、功耗最低、性價(jià)比最高FPGA 和HardCopy
ASIC 上保持領(lǐng)先優(yōu)勢打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
40-nm 工藝技術(shù)的重要性
40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點(diǎn)和最近的45-nm 節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢。最引人注目的優(yōu)勢之一是其更高的集成度,半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空間中實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的功能。國際電子器件大會(huì)(IEDM) 報(bào)告了密度提高所得到的實(shí)際結(jié)果,主要的半導(dǎo)體生產(chǎn)商展示了他們在工藝技術(shù)上努力的結(jié)果。對SRAM 單元大小進(jìn)行了基準(zhǔn)測試,表2 列出了上次IEDM 大會(huì)報(bào)道的最近工藝節(jié)點(diǎn)的SRAM 單元大小(以45-nm 工藝單元大小遞增的順序列出)。如表中所示,工藝技術(shù)的提高使半導(dǎo)體生產(chǎn)商能夠在更小的面積上實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的功能。
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