功率場效應(yīng)晶體管MOSFET
摘要：文中闡述了MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動態(tài)特性，并對動態(tài)特性的改進進行了論述，簡介了MOSFET的驅(qū)動電路及其發(fā)展動態(tài)。
關(guān)鍵詞：MOSFET 結(jié)構(gòu) 特性 驅(qū)動電路 發(fā)展
Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state、dynamic characteristic，right dynamic characteristic improve on carry out discuss，brief introduction MOSFET drive circuit and develop dynamic。
Keywords: MOSFET frame characteristic drive circuit develop
1.概述
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（Static Induction Transistor——SIT）。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，驅(qū)動電路簡單，需要的驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。