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下圖是典型的 MIC 應(yīng)用電路以及MIC 內(nèi)部的電路圖。在MIC 內(nèi)部，駐極體電容將聲音
信號變?yōu)殡娦盘枺⒘⒓赐ㄟ^一級共源FET 放大輸出。加電阻的目的是為了給 MIC 內(nèi)部的FET 放大器提供一個漏極偏置，使其工作在飽和區(qū)，完成信號放大的任務(wù)。因此，這個電阻也稱為偏置電阻。選擇多大的電阻呢？這需要根據(jù)內(nèi)置的FET 的參數(shù)來決定。電阻選擇不合適，將降低放大電路的最大動態(tài)輸出范圍，電阻太大，還可能使FET 進(jìn)入非飽和區(qū)； 電阻過小，可能導(dǎo)致?lián)p壞管子。下面是從一家MIC 成品規(guī)格書中截取的性能參數(shù)以及測試電路。其測試條件是供電電壓是2V，偏置電阻是2.2Kohm。
信號變?yōu)殡娦盘枺⒘⒓赐ㄟ^一級共源FET 放大輸出。加電阻的目的是為了給 MIC 內(nèi)部的FET 放大器提供一個漏極偏置，使其工作在飽和區(qū)，完成信號放大的任務(wù)。因此，這個電阻也稱為偏置電阻。選擇多大的電阻呢？這需要根據(jù)內(nèi)置的FET 的參數(shù)來決定。電阻選擇不合適，將降低放大電路的最大動態(tài)輸出范圍，電阻太大，還可能使FET 進(jìn)入非飽和區(qū)； 電阻過小，可能導(dǎo)致?lián)p壞管子。下面是從一家MIC 成品規(guī)格書中截取的性能參數(shù)以及測試電路。其測試條件是供電電壓是2V，偏置電阻是2.2Kohm。
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