電子元器件的抗輻射應用
9.4.1 抗輻射加固電子系統的器件選擇
??? 在抗輻射加固電子系統的設計中，一個首要的任務是如何合理地選擇電子元器件。選擇的一般原則是，所選用的器件既能實現系統的電氣性能指標，又具有較好的抗輻射潛力。為了正確地選用抗輻射能力強的電子元器件，盡可能避免使用抗輻射能力差的器件，掌握以下給出的一些規律是十分重要的應該指出的是，這里對不同器件抗輻射能力的比較是在其它條件相同或相當的前提下進行的，只具有相對的意義，不要把它們絕對化。
??? 1. 雙極型器件抗中子輻照的能力差，最敏感的參數是電流放大系數hFE；MOS器件抗電離輻照的能力差，最敏感的參數是閥值電壓VT。MOS場效應管的抗中子輻射能力比雙極晶體管高1～2個數量級，但它的抗電離輻射能力卻比雙極晶體管低2～3個數量級。
??? 2. 在分立半導體器件中，閘流管、單結晶體管和太陽能電池的抗輻射能力最差，所以應該盡可能避免在輻射環境中使用此類器件。
??? 3. 在二極管中隧道二極管的抗輻射能力最強，其次為電壓調整二極管和電壓基準二極管，普通的整流二極管最差。
??? 4. 在具有不同的參數指標、結構或管芯材料的雙極二極管中，大功率晶體管的抗輻射能力優于小功率晶體管，高頻晶體管優于低頻晶體管，開關晶體管優于放大晶體管，鍺晶體管優于硅晶體管，npn晶體管優于pnp晶體管。
??? 5. 在不同類型的器件中，半導體二極管的抗輻射能力優于晶體管三極管，結型場效應管的抗輻射能力優于雙極晶體管，由分立器件構成的電路的抗電離輻射能力優于實現相同功能的單片集成電路，數字集成電路的抗中子輻射能力模擬集成電路。
??? 6. 在相同類型的器件中，工作頻率越高，工作電流越大，開關時間越短，或者額定電源電壓越高，則抗輻射能力越強。例如，用相同工藝和材料制作的微處理器電路，要求10V電源的電路比要求5V電源的電路抗輻射能力強，因為10V電源有3V的噪聲容限，而5V電源只有1.5V的噪聲容限。