資料介紹
反相器也是CMOS
VLSI電路中的蛀
基奉的單元電路。常
用的CMOS靜態反相
器有三韓, 如圖5.1
所示。CMOS反相器
是由一對互補的MOSFET
組成的 通常
總是用PMOSFET作
為上拉元件,用NMOSFET作為下拉元件,以便和其
它類型的MOS電路及TTL電路的電平相匹配。圖5.1
(a)所示反相器是最基奉的。圖5.I(b)是時鐘控制的
CMOS反相器,當 =l耐,相當于圖5.1 )串聯了一個
等效電阻,其它方面和腰5.1(a)一樣}而當 =0時
共輸出為高阻志,所以它是一個“三態反相門 圈5.1
(c)實際上是一個以PMOSFET作為負截電阻的有比
反相器.其特性和分薪方法與EID NMOS電路十分
類似。它主要用在多輸入端的畿非n矩陣緒構中, 從
而省擊多輸入對的多個PMOSFET及眾多的連線,可
取節省大量芯片面積.所以它被廣琵地用于耀肆式的
VL$1電路中。盡管這種電路增大了直流功耗,但在
炬陣中可以采用動態俠電,從而緩和了選一矛盾。
VLSI電路中的蛀
基奉的單元電路。常
用的CMOS靜態反相
器有三韓, 如圖5.1
所示。CMOS反相器
是由一對互補的MOSFET
組成的 通常
總是用PMOSFET作
為上拉元件,用NMOSFET作為下拉元件,以便和其
它類型的MOS電路及TTL電路的電平相匹配。圖5.1
(a)所示反相器是最基奉的。圖5.I(b)是時鐘控制的
CMOS反相器,當 =l耐,相當于圖5.1 )串聯了一個
等效電阻,其它方面和腰5.1(a)一樣}而當 =0時
共輸出為高阻志,所以它是一個“三態反相門 圈5.1
(c)實際上是一個以PMOSFET作為負截電阻的有比
反相器.其特性和分薪方法與EID NMOS電路十分
類似。它主要用在多輸入端的畿非n矩陣緒構中, 從
而省擊多輸入對的多個PMOSFET及眾多的連線,可
取節省大量芯片面積.所以它被廣琵地用于耀肆式的
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