資料介紹
下文主要介紹 mosfet 的主要參數(shù),通過此參數(shù)來理解設計時候的考量
一、場效應管的參數(shù)很多,一般 datasheet 都包含如下關鍵參數(shù):
1 極限參數(shù):
ID :最大漏源電流。是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流。
場效應管的工作電流不應超過 ID 。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
IDM :最大脈沖漏源電流。此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
PD :最大耗散功率。是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使
用時,場效應管實際功耗應小于 PDSM 并留有一定余量。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升
而有所減額。
VGS :最大柵源電壓。
Tj :最大工作結(jié)溫。通常為 150 ℃ 或 175 ℃ ,器件設計的工作條件下須確應
避免超過這個溫度,并留有一定裕量。
TSTG :存儲溫度范圍。
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