半導(dǎo)體功率器件制造技術(shù)和電源技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新

電源技術(shù)與功率半導(dǎo)體器件制造技術(shù)互依互存，共同發(fā)展。從五十年代初晶閘管整流器問世，就揭開了功率半導(dǎo)體器件制造技術(shù)和電源技術(shù)長足發(fā)展的序幕，并奠定了現(xiàn)代電力電子學(xué)的基礎(chǔ)。電力電子技術(shù)包含了電力電子器件制造技術(shù)和電力電子線路與裝置兩大部分，其中電力電子器件及其應(yīng)用技術(shù)是基礎(chǔ)。

電源和功率半導(dǎo)體器件是重要的基礎(chǔ)科學(xué)和產(chǎn)業(yè)，從人們的日常生活到工、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、國防建設(shè)直至科學(xué)研究，都離不開電源。而功率半導(dǎo)體器件制造技術(shù)的發(fā)展又支持了電源技術(shù)的發(fā)展，反之，電源技術(shù)的發(fā)展又對(duì)功率半導(dǎo)體器件提出了更高的要求。因此，電源技術(shù)和半導(dǎo)體功率器件制造技術(shù)正是在這種相依相存的環(huán)境中逐步發(fā)展起來的。

半個(gè)世紀(jì)以來，電源技術(shù)與半導(dǎo)體功率器件制造技術(shù)的發(fā)展不斷創(chuàng)新。經(jīng)歷了從真空閘流管、真空三極管到半導(dǎo)二極管、三極管、晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）、柵控晶閘管（MCT）等不同時(shí)代的新器件。總之，半導(dǎo)體功率器件正朝著高頻、大電流、高電壓、柵控可關(guān)斷方向發(fā)展。功率器件的發(fā)展促進(jìn)了電源技術(shù)的升級(jí)換代，同樣電源技術(shù)也正在朝著高頻、大容量、模塊化、高穩(wěn)定度、高效率，并能有效地抑制電網(wǎng)諧波和環(huán)境噪聲污染方向發(fā)展。

未來，可以相信在新理論、新技術(shù)的引導(dǎo)下；在新材料、新器件的支持下，電源和半導(dǎo)體功率器件將會(huì)進(jìn)入更廣闊的發(fā)展空間。