引言

　　QDR-IV 實現了 QDR （四倍數據速率） SRAM 的最高 RTR （隨機事務處理速率），可為高帶寬網絡、高性能計算和密集型數據處理應用提供高達 400Gbps 的數據傳輸。在這些較快數據速率下的一項主要挑戰是保持在 SRAM 與高速 FPGA 和處理器等器件之間傳輸數據的完整性。

　　一種良好的解決方案是把 SRAM （例如：QDR-IV、 QDR 或 DDR） 布設得非常靠近 PCB 正面的接口器件。為節省 PCB 面積并最大限度地抑制數據總線線路上的感應 PCB 寄生噪聲，應將給 QDR-IV SRAM 數據總線驅動器供電的 DC/DC 穩壓器電路安置在近旁。面臨的難題是在高安裝密度的 PCB 上找到安放該穩壓器的空間。

　　采用一個具片內電感器和 MOSFET 并內置于緊湊型封裝中的完整 DC/DC 穩壓器是一種解決方案。不過，即使是緊湊的解決方案，要面對 PCB 正面上稀缺的可用面積也會有難度。如果 DC/DC 穩壓器解決方案的占板面積、高度和重量能夠有足夠的削減，則其就能安放在具有可用面積的 PCB 之背面。

　　在一個纖巧的超薄型封裝中從 12VIN 獲得 VTT、 VDDQ、VREF

　　LTM?4632 是一款完整的三路輸出降壓型 μModule? 穩壓器，專為支持新型 QDR-IV 和較老式的 DDR RAM 所需要的全部三個電壓軌而設計，其采用一個重 0.21g、外形超薄的微型 LGA 封裝 （6.25mm x 6.25mm x 1.82mm）。

　　封裝中內置了開關控制器、電壓除二電路、功率 FET、電感器和支持組件。其纖巧的占板面積和低外部組件數 （少至一個電阻器和三個電容器） 僅占用0.5cm2 （雙面） 或 1cm2 （單面），而它扁薄的外形則使其能安裝在 PCB 的背面，這樣就可騰出 PCB 正面的空間以實現超緊湊的電路板設計。

　　LTM4632 采用一個介于 3.3V 和 15V 之間的輸入電壓工作，可提供 0.6V 至 2.5V 的精準輸出軌電壓。該器件的兩個開關穩壓器輸出 VOUT1 和 VOUT2 分別為 VDDQ 提供高達 3A 和 VTT 總線終端軌提供高達 ±3A。它的第三個輸出為跟蹤電壓的終端基準 （VTTR） 提供一個低噪聲緩沖 10mA 輸出。圖 1 示出了一種典型 DDR3 應用中的 LTM4632 電路，顯現了其簡單的解決方案和小的組件數目。