寬輸入、高輸出電流的非隔離降壓轉換器的設計采用Egan FET

　　設計和建設隔離，降壓直流/直流轉換器具有寬輸入電壓范圍和高輸出電流在標準5 V輸出使用硅MOSFET可以實現，但性能有限，特別是在低負載和高輸入電壓。更重要的是，隨著硅的成熟，擠壓更多的汁液從寬輸入降壓DC / DC轉換器在輕負載時，可能是具有挑戰性的，如果輸入電壓高。與硅MOSFET，增強型氮化鎵基場效應晶體管（Egan）承諾過的輸入和輸出參數的一組相同寬的負載提供更好的性能。事實上，因為這些寬帶隙器件工作在更高的速度與更高的擊穿電壓和較低的導通電阻，它們可以提供更高的效率，在廣泛的負載變化，同時最大限度地減少空間和成本。

　　由于伊根FET是建立在硅襯底上，成本差異正在縮小，商業加速提高。高效的功率轉換（EPC），例如，已經在基于硅的伊根FET在過去的四年里提供氮化鎵和繼續擴大其產品組合。此外，幫助設計師從硅伊根FET，公司建有許多評估板與伊根FET在特定的降壓轉換器設計硅MOSFET的性能比較（見高新區的文章。“開發板使評價伊根FET簡單”）。此外，EPC已經建立了許多演示板，提供了一個完整的參考設計，使用這些寬帶隙器件在特定的DC / DC轉換器電路。

　　For example， in this article， we will investigate a wide-input， 20 A non-isolated buck DC/DC converter design using EPC’s eGaN FETs， such asEPC2001 and EPC2021， over a wide-load variation. The buck controller used in this design is Linear Technology’s LTC3891， which integrates the driver and uses a constant frequency current-mode architecture. This DC/DC buck converter is designed for distributed-power solutions in telecom， industrial， and medical applications.