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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>同步整流基礎(chǔ)知識(shí)及最優(yōu)化的MOSFET的選擇

      同步整流基礎(chǔ)知識(shí)及最優(yōu)化的MOSFET的選擇

      2017-12-06 | rar | 0.3 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　電源轉(zhuǎn)換器的 封裝密度日益提高和節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)格，要求不斷提高電源級(jí)的能效。隔離式電源轉(zhuǎn)換器的次級(jí)整流產(chǎn)生的嚴(yán)重的二極管正向損耗是主要的損耗，因此，只有利用 同步整流（SR）才可能達(dá)到這些標(biāo)準(zhǔn)要求的能效水平。用 MOSFET 替代二極管引發(fā)了新的挑戰(zhàn)——優(yōu)化系統(tǒng)能效和控制電壓過沖。本應(yīng)用筆記介紹了通過利用 英飛凌 OptiMOS?3解決方案的優(yōu)化表（適用于30 V、40 V、60 V、75 V、80 V、100 V、120 V 和150 V 等應(yīng)用）幫助選擇最佳 MOSFET 的方法。

      　　同步整流基礎(chǔ)知識(shí)及最優(yōu)化的MOSFET的選擇

      　　同步整流基礎(chǔ)知識(shí)

      　　要選擇最優(yōu)的 MOSFET 來實(shí)現(xiàn)同步整流，必須充分理解 MOSFET 的功耗產(chǎn)生機(jī)制。首先，必須區(qū)分開隨負(fù)載而變化的導(dǎo)通損耗與基本保持不變的開關(guān)損耗。 導(dǎo)通損耗取決于MOSFET 的 RDS（on）和內(nèi)部體二極管的正向電壓 VSD。隨著輸出電流的提高，導(dǎo)通損耗（RDS（on）損耗）也會(huì)相應(yīng)地增加。為確 保兩個(gè) SR MOSFET 之間互鎖，以避免出現(xiàn)直通電流，必須實(shí)現(xiàn)一定的死區(qū)時(shí)間。因此，在開啟一次側(cè)之前，必須關(guān)斷相應(yīng)的 MOSFET。

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