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IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功 率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常 工作于幾十kHz頻率范圍內。
理想等效電路與實際等效電路如圖所示：
IGBT 的靜態特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態特性（開關特性）。
動態特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取：
IGBT的開通過程
IGBT 在開通過程中，分為幾段時間
1.與MOSFET類似的開通過程，也是分為三段的充電時間
2.只是在漏源DS電壓下降過程后期，PNP晶體管由放大區至飽和過程中增加了一段延遲時間。
在上面的表格中，定義了了：開通時間Ton，上升時間Tr和Tr.i
除了這兩個時間以外，還有一個時間為開通延遲時間td.on:td.on=Ton-Tr.i
IGBT在關斷過程
IGBT在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。
第一段是按照MOS管關斷的特性的
第二段是在MOSFET關斷后，PNP晶體管上存儲的電荷難以迅速釋放，造成漏極電流較長的尾部時間。
在上面的表格中，定義了了：關斷時間Toff，下降時間Tf和Tf.i
除了表格中以外，還定義trv為DS端電壓的上升時間和關斷延遲時間td（off）。
漏極電流的下降時間Tf由圖中的t（f1）和t（f2）兩段組成，而總的關斷時間可以稱為toff=td（off）+trv十t（f），td（off）+trv之和又稱為存儲時間。
理想等效電路與實際等效電路如圖所示：
IGBT 的靜態特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態特性（開關特性）。
動態特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取：
IGBT的開通過程
IGBT 在開通過程中，分為幾段時間
1.與MOSFET類似的開通過程，也是分為三段的充電時間
2.只是在漏源DS電壓下降過程后期，PNP晶體管由放大區至飽和過程中增加了一段延遲時間。
在上面的表格中，定義了了：開通時間Ton，上升時間Tr和Tr.i
除了這兩個時間以外，還有一個時間為開通延遲時間td.on:td.on=Ton-Tr.i
IGBT在關斷過程
IGBT在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。
第一段是按照MOS管關斷的特性的
第二段是在MOSFET關斷后，PNP晶體管上存儲的電荷難以迅速釋放，造成漏極電流較長的尾部時間。
在上面的表格中，定義了了：關斷時間Toff，下降時間Tf和Tf.i
除了表格中以外，還定義trv為DS端電壓的上升時間和關斷延遲時間td（off）。
漏極電流的下降時間Tf由圖中的t（f1）和t（f2）兩段組成，而總的關斷時間可以稱為toff=td（off）+trv十t（f），td（off）+trv之和又稱為存儲時間。
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