總體說(shuō)來(lái)，凡是實(shí)際使用中的有源電路中往往都有半導(dǎo)體晶體管。在形形色色的電子世界中，晶體管是絕大部分電路功能的實(shí)現(xiàn)者，是電子電路設(shè)計(jì)者必須掌握的基本要素。只有正確地理解掌握了基本的電路器件，才能設(shè)計(jì)出符合目的的，功能正常、性能可靠的電路。在電子世界飛速發(fā)展的今天，掌握基本器件是正確、可靠地使用集成器件所必須的輔助條件。本文將列出幾種最常用的晶體管器件進(jìn)行簡(jiǎn)介。

　　1.2準(zhǔn)備知識(shí)：PN結(jié)簡(jiǎn)介

　　在硅［Si］、緒［Ge］、砷化擦［GaAs］等具有共價(jià)鍵的單晶本征半導(dǎo)體材料中，以特殊工藝［如高溫?cái)U(kuò)散、離子注入等］“攙雜”進(jìn)一定濃度［106~1010］的其它特定原子，在不破壞原半導(dǎo)體共價(jià)鍵的情況下，使“雜質(zhì)”原子在晶格的某些位置上替代原來(lái)材料的原子，因?yàn)樵w的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)的存在，以及雜質(zhì)原子與晶體原子的自由電子數(shù)目不相等，那么在形成共價(jià)鍵后，雜質(zhì)原子就會(huì)多出自由電子或者被共價(jià)鍵牽引而缺少了自由電子。從整個(gè)材料特性看來(lái)仍然對(duì)外界表現(xiàn)出電中性，但在晶格附近就會(huì)有多余的電子或者因缺少電子而形成了帶正電的“空穴”。有“多余”電子的攙雜材料就稱為Negative型半導(dǎo)體，帶“空穴”的攙雜材料就稱為Positive型半導(dǎo)體。

　　從電路結(jié)構(gòu)上說(shuō)來(lái)，PN結(jié)是一種特殊的材料接觸結(jié)構(gòu)：將P型半導(dǎo)體以及N型半導(dǎo)體以特定的工藝進(jìn)行原子級(jí)結(jié)合就可以形成PN結(jié)，PN結(jié)有這樣的特點(diǎn)：因P型半導(dǎo)體中的空穴、N型半導(dǎo)體中的電子互相“滲透”會(huì)形成一個(gè)接觸電場(chǎng)，方向?yàn)閺腘端指向P端。當(dāng)分別在P、N端加上電壓時(shí)，PN結(jié)將表現(xiàn)出寶貴的單向?qū)щ娦裕篜極加正電壓，N極加負(fù)電壓時(shí)接觸電場(chǎng)被削弱，PN結(jié)導(dǎo)通；N極加正電壓，P極加負(fù)電壓時(shí)接觸電場(chǎng)被增加，導(dǎo)致自由電子無(wú)法通過(guò)。在PN正向?qū)〞r(shí)，因接觸電場(chǎng)的存在，將會(huì)在結(jié)上形成一固定壓降，硅PN結(jié)的壓降一般為0.6V左右，鍺材料結(jié)的壓降為0.3~0.5V左右。鍺材料的溫度敏感性很強(qiáng)，其穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如硅材料。PN結(jié)示意圖如圖1.1：